Porous silicon : obtainig, properties and applications

• Autorzy: Craciunoiu F. , Miu M.

Warianty tytułu

PL

Porowaty krzem : otrzymywanie, właściwości i zastosowanie

• Konferencja: Konferencja Techniki Próżni. 9 ; Workshop on Field Emission from Carbonaceous Materials ; 6-9.06.2011; Cedzyna, Polska
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Silicon wafer during electrochemical etching process is changed into a sponge structure named porous silicon. Porous silicon due to the well-developed surface area can be used in many applications. The present paper tries to review some of our recent results related to porous silicon, a special attention being dedicated using it as the substrate for cold field emitters.

PL

W czasie trawienia elektrochemicznego płytka krzemu jest przekształcana w strukturę typu gąbka zwaną porowatym krzemem. Porowaty krzem z powodu dobrze rozwiniętej powierzchni właściwej może być stosowany w wielu aplikacjach. W artykule przedstawiono wyniki ostatnich badań wykonanych w IMT-Bucharest, dotyczących porowatego krzemu, zwłaszcza jego zastosowania jako podłoża dla emiterów polowych.

Słowa kluczowe

EN

field emission; porous silicon; SEM

PL

emisja polowa; porowaty krzem; SEM

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 8
• Strony: 24--27
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Craciunoiu F.

autor

Miu M.

• National Institute for Research and Development in Microtechnologies IMT-Bucharest

Bibliografia

• [1] Schmith R. L., Collins S. D.: J. Appl. Phys. 71, R1 (1992), 76-79.
• [2] Lehman V., Gosele U.: Appl. Phys. Lett. 58, 856 (1991), 77.
• [3] Ossicini S., Pavesi L., Priolo R.: Light Emitting Silicon for Micro-photonics. STMP 194, (2003) 75-122, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg.
• [4] Czerwosz E., Kowalska E., Kozłowski M., Wronka H., Craciunoiu R., Miu M., Dinescu A.: Proceedings of the 33th International Semiconductor Conference, CAS, Sinaia, Romania, oct. 2010, pp. 81-84, ISBN 978-1-4244-5781-6, IEEE Catalog Number CRP10CAS-PRT.
• [5] Craciunoiu R., Dinescu A., Bragaru A.: Proceedings of the 31th International Semiconductor Conference, CAS, Sinaia, Romania, oct. 2008, pp. 181-184, ISBN 978-1-4244-2004-9, IEEE Catalog Number CFP08CAS-PRT.