Właściwości diod Schottky'ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością

• Autorzy: Michalski A. , Zymmer K.

Warianty tytułu

EN

Properties of the silicon carbide Schottky diodes in high frequency of electric energy converting conditions

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań diod Schottky'go wykonanych z węglika krzemu przy komutacji prądu z częstotliwością 10...200 kHz. Wyznaczono w tych warunkach straty mocy powstające w diodach SiC i porównano je z odpowiednimi wartościami określonymi dla ultraszybkich diod krzemowych. Zamieszczono wyniki pomiarów strat mocy w tranzystorze współpracującym w procesie komutacji prądu z diodą Schottky'go wykonaną z węglika krzemu oraz ultraszybką diodą krzemową. Przedstawiono także przebiegi przejściowego prądu wstecznego i przejściowego napięcia przewodzenia tych diod przy określonej stromości zmian prądu w przyrządzie.

EN

Measurement results of properties of the silicon carbide Schottky diodes in commutating current with frequency 10...200 kHz are presented in the paper. The power losses generated in the SiC diodes at these conditions are measured. These values are compared to the corresponding values determined for ultrafast silicon diodes. Results of measurement of power losses in a transistor switching at high frequency and cooperating in the commutation process with a silicon carbide diode and silicon diode respectively-are presented. Transient reverse current and transient forward voltage of these diodes at defined rise of current conditions are presented also.

Słowa kluczowe

PL

energoelektronika; dioda Schottky'ego; węglik krzemu; wysoka częstotliwość

EN

power electronics; Schottky diode; silicon carbide; high frequency

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 1
• Strony: 108--112
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., wykr.

Twórcy

autor

Michalski A.

autor

Zymmer K.

• Instytut Elektrotechniki, Zakład Przekształtników Mocy, Warszawa

Bibliografia

• [1] Barlik R., Rąbkowski J., Nowak M.: Układy energoelektroniczne z przyrządami z węglika krzemu - stan obecny i perspektywy. VI Krajowa Konferencja Elektroniki. Kołobrzeg, 2007.
• [2] Barlik R., Rąbkowski J., Nowak M.: Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice. Przegląd Elektrotechniczny, 2006-11.
• [3] Bontemps S., Calmmels A., Round S. D., Kolar J. W.: Low profile power module combined with state of the art MOSFET switches and SiC diodes allows high frequency and very compact three-phase sinusoidal input rectifiers. Proc. of the Conf. for Power Electronics, (PCIM'07), Nuremberg (Germany), 2007.
• [4] Jon Mark Hancock: Novel SiC Diode Solves PFC Challenges. Materiały firmy Infineon Technologies. Power Electronics Technology/June 2006. www.powerelectronics.com
• [5] Lorenz L., Deboy G., Zverev I.: Matched Pairof CoolMOS Transistor With SiC-Schottky Diode-Advantages in Application. IEEE Transactions on Industry Applications, vol. 40, no. 5, Sept./Oct. 2005.
• [6] Stuart Hodge Jr.: SiC Schottky Diodes in Power Factor Correction. Electronics Technology/August 2004. www.powerelectronics.com
• [7] Konczakowska A., Szewczyk A., Kraśniewski J., Oleksy M.: Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC. VI Krajowa Konferencja Elektroniki. Kołobrzeg, 2007.
• [8] Jim Richmond: Hard-Switched Silicon IGBTs?. Cut Switching Losses In Half With Silicon Carbide Schottky Diodes. Materiały firmy CREE. www.cree.com/power
• [9] Ranbir Singh, James Richmond: SiC Power Schottky Diodes in Power-Factor Correction Circuits. Materiały firmy CREE. www. cree.com/power
• [10] www.infineon.com
• [11] www.powerex.com
• [12] www.microsemi.com