Montaż laserów kaskadowych na pasmo średniej podczerwieni

• Autorzy: Karbownik P. , Barańska A. , Trajnerowicz A. , Szerling A. , Kosiel K. , Wójcik-Jedlińska A. , Wasiak M. , Gronowska I. , Bugajski M.

Warianty tytułu

EN

Assembling technology for mid-IR Quantum Cascade Lasers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawione są wynik prac nad montażem struktur GaAs/ AlGaAs laserów kaskadowych (QCL) emitujących w średniej podczerwieni. Ze względu na wysokie napięcie i prąd potrzebny do uzyskania akcji laserowej odprowadzanie ciepła odgrywa bardzo istotną rolę w tego typu przyrządach. Jednym z ważniejszych etapów procesu technologicznego wytwarzania przyrządów optoelektronicznych jest ich montaż. Ma on bardzo duży wpływ na termiczne zachowanie gotowego przyrządu. W pracy wykorzystano mikrofotoluminescencję do wyznaczenia wzrostu temperatury wewnątrz zasilanych przyrządów. Jakość lutowania oceniano stosując skaningową mikroskopię optyczną. Rezultaty badań nad montażem przyczynił się do uzyskania laserów kaskadowych pracujących w temperaturze pokojowej i emitujących moc optyczną ∼ 12 mW.

EN

The assembling technology of GaAs/AIGaAs Quantum Cascade Lasers (QCLs) is investigated in this paper. The heat management plays crucial role due to high operating current and voltage of such devices. One of the most important steps during processing of QCLs is the device bonding technology. The results of this process have strong influence on final performance of devices. The spatially resolved photoluminescence (SRPL) technique is applied for device thermal analysis. The solder quality is investigated by means of scanning acoustic microscopy (SAM). Results of optimization play crucial role in obtaining room temperature operation of QCLs with optical power 12 mW.

Słowa kluczowe

PL

QCL; lasery kaskadowe; montaż; lutowanie

EN

QCL; die bonding; soldering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 1
• Strony: 86--88
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Karbownik P.

autor

Barańska A.

autor

Trajnerowicz A.

autor

Szerling A.

autor

Kosiel K.

autor

Wójcik-Jedlińska A.

autor

Wasiak M.

autor

Gronowska I.

autor

Bugajski M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Centrum Nanofotoniki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Sirtori C., Page H., Becker C., Ortiz V.: J. Quantum Electr, 38, p. 547, 2002.
• [2] Page H., Becker C., Robertson A., Glastre G., Ortiz V., Sirtori C.: Appl. Phys. Lett., 78, p. 3529, 2001.
• [3] Kosiel K., Bugajski M., Szerling A., Kubacka-Traczyk J., Karbownik R., Pruszyńska-Karbownik E., Muszalski J., Łaszcz A., Romanowski R., Wasiak M., Nakwaski W., Makarowa I., Perlin R.: Photonics Lett. Poland, 1, p. 16, 2009.
• [4] Bernstein L., J. Electrochem. Soc. 113, p. 1282, 1966.
• [5] Liu X., Davis R. W., Hughes L. C., Rasmussen M. H., Bhat R., Zah C.: J. Appl. Phys., 100, p. 013104, 2006.
• [6] Takigawa R., Higurashi E., Suga T., Sawada R.: App. Phys. Exp., 1, p. 112201,2008.
• [7] Beck D. J., Perez A. C.: Adv. Packag., March, 2007.