Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższonej zawartości koncentracji domieszki

• Autorzy: Wróbel E. , Waczyński K. , Filipowski W.

Warianty tytułu

EN

Diffusion doping of silicon with a glasses containing elevated contents of dopant concentration

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wpływu warunków nanoszenia rozwirowywanych roztworów krzemowych o wysokiej koncentracji domieszki na parametry elektryczne warstwy emiterowej ogniwa słonecznego.

EN

This paper presents the results on study of the influence of experimental conditions for the deposition of spin-on glass silicon solutions of the hic dopant concentration on the electrical parameters of the solar cells emitte layers.

Słowa kluczowe

PL

domieszkowanie półprzewodników; metoda spin-on; parametry warstw dyfuzyjnych

EN

semiconductor doping; spin-on method; parameters of diffusion layers

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 9
• Strony: 111--113
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., wykr.

Twórcy

autor

Wróbel E.

autor

Waczyński K.

autor

Filipowski W.

• Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, Gliwice

Bibliografia

• [1] Nguyen Thiu Toan: Spin-on glass materials and applications in advanced IC technologies. ISBN: 90-365-12697, 1999.
• [2] Mohr U., Leihkauf R., Jakob K.: Phosphorus distribution profiles in 100-silicon using a spin-on sources at low temperatures. Appl. Phys.A64, 77-81, 1997.
• [3] Ishikawa Y., Sugioka K.: Doping of Phosphorus and Boron into Silicon by Solid-Phase Diffusion at Low Temperatures(<650°C). Electrical and Electronics Engineering, Nippon Institute of Technology, Japan, 1994.
• [4] Konczak S. i in.: Sposób wytwarzania rozwirowywanego źródła arsenu albo fosforu do dyfuzji planarnej w krzemie Patent PRL nr 151167 Warszawa 1991.
• [5] Wróbel E.: Analiza procesów dyfuzji planarnej w półprzewodnikach z wybranych źródeł domieszek. Praca doktorska, Gliwice 2001.
• [6] Wróbel E., Waczyński K.: Problemy związane ze stosowaniem rozwirowywanych źródeł domieszek w technologii krzemowej. Elektronika, 12/97.
• [7] Waczyński K., Krompiec S., Matysek-Majewska D.: Badania nad zastosowaniem szkliw domieszkowanych borem i fosforem w technologii półprzewodników krzemowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, Chemia, z.129, Gliwice 1993.
• [8] FILMTRONICS: Materiały reklamowe firmy. Pensylwania USA, 1996.
• [9] Drabczyk K., Waczyński K., Filipowski W., Wróbel E., Lipiński M.: Wpływ temperatury procesu dyfuzji fosforu do krzemu prowadzonej w piecu IR, z użyciem rozwirowywanych szkliw domieszkowych, na parametry warstwy dyfuzyjnej. IV KKE Darłowo czerwiec 2005.
• [10] Drabczyk K., Waczyński K.: Solar Celi Emiter Later Created During Diffusion in IR Belt Fumace. XXVII International Conference IMAPS - Poland Chapter, Podlesice, 16-19 September 2003.
• [11] Wróbel E., Waczyński K., Filipowski W.: Investigation on the Application of Boron-, Phosphorus and Arsenic-Doped Glasses in the Technology of Photovoltaic Structures. XXVIII International Conference IMAPS - Poland Chapter, 26-29 September 2004, Wrocław.
• [12] Wróbel E., Waczyński K., Filipowski W.: Investigation on high doped phosphorus sources in silicon solar cells technology. IX Electron Technology Conference, ELTE'2007, 4-7.09.2007, Kraków.
• [13] Runyan W. R., Shaffner T. J.: Semiconductor measurements and Instrumentation. McGraw-Hill, New York 1998.
• [14] Cousins P. J., Honsberg C. B., Scott J. E.: Single high temperature step selective emitter structures using spin-on dopant sources. 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Lousiana, May 19-24, 2002.
• [15] Jihun Oh at. all.: Materials Science and Engineering B 110 (2004), 185-189.