Wyznaczanie czasu życia nośników ładunku w płytkach krzemowych z pomiaru absorpcji na nośnikach swobodnych

• Autorzy: Piotrowski T. , Kasjaniuk S.

Warianty tytułu

EN

Determination of charge carrier lifetime in silicon wafers by measurement of free carrier absorption

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono metodykę określania czasu życia nośników ładunku, wykorzystującą pomiar absorpcji optycznej nośników swobodnych w podczerwieni, pozwalającą na szybki, bezdotykowy i przeprowadzany z dużą rozdzielczością przestrzenną pomiar tego głównego parametru rekombinacyjnego. Metodyka ta uzupełnia dotychczas stosowane bezdotykowe metody pomiarowe czasu życia nośników ładunku stosowane w diagnostyce przemysłowej a może znaleźć szczególne zastosowanie do charakteryzacji multikrystalicznego krzemu.

EN

A method of charge carrier lifetime determination by using free carriers absorption measurement is presented. The method is quick, contactless and has good spatial resolution. It complements known contactless lifetime measurement methods applied in industry diagnostics and can be especially useful for multicrystalline silicon characterization.

Słowa kluczowe

PL

czas życia nośników ładunku; absorpcja; krzem multikrystaliczny; ogniwa słoneczne

EN

charge carrier lifetime; absorption; multicrystalline silicon; solar cells

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 9
• Strony: 100--102
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Piotrowski T.

autor

Kasjaniuk S.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Otaredian T., Middelhoek S., Theunissen M. J.: The theory and application of contactless microwave lifetime measurement. Materials Science & Engineering B (Solid-State Materials for Advanced Technology), vol. B5, pp. 151-156, 1990.
• [2] Otaredian T.: Analysis of microwave scattering from semiconductor wafer [lifetime measurement]. Solid- State Electronics, vol. 36, pp. 163-72, 1993.
• [3] Schieck R., Kunst M.: Frequency modulated microwave photo-conductivity measurements for characterization of silicon wafers. Solid-State Electronics, vol. 41, pp. 1755-1760, 1997.
• [4] Sinton R. A., Cuevas A., Stuckings M.: Quasi-steady-state photoconductance, a new method for solar celi material and device characterization. Conference Record of the Twenty Fifth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1996, NY, USA (Cat. NO.96CH35897), IEEE. pp. 457-460, 1996.
• [5] Cuevas A., Sinton R. A., Stuckings M.: Determination of recombination parameters in semiconductors from photocon-ductance measurements. Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. Proceedings, NY, USA (Cat. NO.96TH8197). IEEE, pp. 16-19, 1996.
• [6] Sinton R. A., Cuevas A.: Contactless determination of current-voltage characteristics and minority-carrier lifetimes in semiconductors from quasi-steady-state photoconductance data. Applied Physics Letters, vol. 69, pp. 2510-2512, 1996.
• [7] Kasemann M., Kwapil W., Walter B., Giesecke J., Michl B., The M., Wagner J. M., Bauer J., Schutt A., Carstensen J., Kluska S., Granek R., Kampwerth H., Gundel P., Schubert M. C., Bardos R. A., Foll H., Nagel H., Wurfel P., Trupke T., Breitenstein O., Mhermle, Warta W., Glunz S. W.: Progres in silicon solar celi characterization with infrared imaging methods. 23rd Photovoltaic Solar Energy Conference, 1-5 September, Valencia, Spain, 2008.
• [8] Piotrowski T., Malyutenko V. K., Malyutenko O. Yu., Lipiński M., Pochrybniak C., Kasjaniuk S., Kruszewski P.: Thermovision Characterization of Inhomogeneities in Materials and Structures Used in Solar Cells. Proceedings of the MicroTherm 2009, VIII International Conference on Microtechnology and Thermal Problems in Electronics, pp. 197-201, 2009.
• [9] Isenberg J., Riepe S., Glunz S. W., Warta W.: Imaging method for laterally resolved measurement of minority carrier densities and lifetimes: Measurement principle and first applications. J. Appl. Phys., vol. 93, pp. 4268-4275, 2003.
• [10] Piotrowski T.: Zgłoszenia patentowe UPPR: P389723; P. 389722, 2009.