One-stage substrate activation using in resistive layer formation

• Autorzy: Kowalik P. , Pruszowski Z. , Rymaszewska D.

Warianty tytułu

PL

Jednoetapowa aktywacja podłoży w procesie wytwarzania warstw rezystywnych

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper presents a comparison of electrical parameters of a resistive layer formed on a ceramic substrate by way of chemical reduction, the subject of comparison being the process of metal plating carried out through two-stage and one-stage activation of the metallized substrate.

PL

Praca prezentuje porównanie parametrów elektrycznych warstw rezystywnych Ni-P osadzonych na podłożu ceramicznym w procesie jedno- i dwuetapowej aktywacji.

Słowa kluczowe

EN

Ni-P; resistive layer; chemical reduction

PL

Ni-P; warstwy rezystywne; metalizacja chemiczna

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 9
• Strony: 98--99
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kowalik P.

autor

Pruszowski Z.

autor

Rymaszewska D.

• Politechnika Śląska, Wydział Automatyki Elektroniki i Informatyki, Gliwice

Bibliografia

• [1] Brenner A.: Electroless Plating. Metal Finishing 52; 1954, 61-65.
• [2] Saubestre E.: Electroless Plating Today Part I. Metal Finishing 60, 1962, 45-48.
• [3] Saubestre E.: Electroless Plating Today Part II. Metal Finishing 60, 1962, 49-52.
• [4] Saubestre E.: Electroless Plating Today Part III. Metal Finishing 60, 1962, 44-48.
• [5] Saubestre E.: Electroless Plating Today Part IV. Metal Finishing 60, 1962, 59-62.
• [6] Touhami M. IBN., Chassaing E.: Modelisation of Ni-P Electroless Deposition in Ammonical Solutions. Electrochimica Acta 48, 2003, 3651-3658.
• [7] Edge G.: Patent USA 3.577.276, 1971.
• [8] Świerczek Z.: Patent PRL 109276, 1976.
• [9] Łukasik A. M., Cięż M., Pruszowski Z.: Carbon-Polymer Layers as Activator in the Chemical Multilayer Metallization. Proc. of 26-th IMAPS Conference - Poland Chapter, 2001, 75-77.
• [10] Lantasov Y., Palmans R.: New Plating Bath for Electroless Copper Deposition on Sputtered Barier Layers. Microelectronic Engineering 50, 2000, 441-147.
• [11] Bhansali S., Sood P. K.: Selective Seeding of Copper Films on Polyimide-Patterned Silicon Substrate, Using Ion Implantation. Sensors and Actuators 52, 1996, 126-131.
• [12] Volk W.: Statystyka stosowana dla inżynierów. WNT Warszawa, 1981.