Wpływ intensyfikacji procesu metalizacji bezprądowej na podstawowe parametry elektryczne rezystywnego stopu Ni-P

• Autorzy: Kowalik P. , Pruszowski Z.

Warianty tytułu

EN

Effect of intensification of the chemical metallization on the basic electrical parameters of the Ni-P resistive layer

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W niniejszej pracy zbadano wpływ zwiększania stężenia substratów w procesie metalizacji bezprądowej na szybkość reakcji chemicznej redukcji prowadzącej do otrzymania warstw rezystywnych typu Ni-P. W pracy zbadano również wpływ tak pojętej intensyfikacji procesu metalizacji na rezystancję końcową oraz temperaturowy współczynnik rezystancji rezystorów otrzymanych na bazie tych warstw.

EN

In the present study investigated the effect of increasing concerrations of substrates in the chemical metallization on the speed of chemical reaction leading to the reduction in receipt of a resistive layer of Ni-P. The study also examined the impact of such a metallization process intensification understood the final resistance and temperature coefficient of resistance of resistors from such layers.

Słowa kluczowe

PL

Ni-P; warstwy rezystywne; metalizacja chemiczna

EN

Ni-P; resistive layers; chemical metallization

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 9
• Strony: 96--97
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kowalik P.

autor

Pruszowski Z.

• Politechnika Śląska, Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki, Gliwice

Bibliografia

• [1] Patent USA3 577 276, 1971.
• [2] Patent USA 4 038 457, 1987.
• [3] Patent USA 5 560 812, 1996.
• [4] Patent RP 155 000, 1991.
• [5] Patent RP 154 999, 1991.
• [6] Shim J., Lee D.: Calculation of phase equilibria and evaluation of glass forming ability of ability of Ni-P alloys. Journal of Alloys and Compounds 282, 1999, 175-181.
• [7] Lu K.: Nanocrystalline metals ctystallized from amorphous solids; nanocrystallization.structure, and deposition. Materials Science and Engineering R 16, 1996, 161-221.
• [8] Jinqiuang G., Yating W., Wenbin H.: Crystallization temperature of amorphous electroless Ni-P alloys. Materials Letters 59, 2005, 1665-1669.
• [9] Kowalik P., Pruszowski Z.: Wytwarzanie warstw rezystywnych typu Ni-Cu-P. Elektronika 2009, (10) 12-14.
• [10] Pruszowski Z., Kowalik P.: Rezystory niskoomowe wytwarzane metodą wielostopniowej metalizacji. Elektronika 2009 (10) 14-18.