Diagnostyka struktur półprzewodnikowych z wykorzystaniem zaawansowanych technik bliskiego pola

• Autorzy: Sikora A.

Warianty tytułu

EN

The diagnostic semiconductor's structures with advanced techniques of near field microscopy

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono możliwości wykorzystania mikroskopii bliskiego pola w diagnostyce elementów dyskretnych układów scalonych. Wysoka zdolność rozdzielcza tej techniki pomiarowej, w połączeniu z możliwością uzyskania szerokiego spektrum informacji na temat badanego obiektu, czyni ją doskonałym narzędziem w weryfikacji niezawodności nowo projektowanych układów scalonych. Zaprezentowane wyniki demonstrują efektywność mikroskopii bliskiego pola w ocenie funkcjonowania poszczególnych elementów.

EN

In this article the possibility of utilization of near field microscopy in diagnostic of discrete components in integrated circuits was discused. Due to high spatial resolution and wide spectra of delivere information about tested object, this technique is a powerful tool verification of the reliability of newly developed integrated circuits. Presented results will show effectiveness of the near field microscopy in evaluation of operation of certain components.

Słowa kluczowe

PL

mikroskopia sił atomowych; diagnostyka układów scalonych; elektrostatyka; sonda Kelvina; EFM

EN

atomic force microscopy (AFM); diagnostic of integrated ciruits; electrostatics; Kelvin probe; EFM

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 9
• Strony: 93--95
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., il.

Twórcy

autor

Sikora A.

• Instytut Elektrotechniki, Oddział Technologii i Materiałoznawstwa Elektrotechnicznego we Wrocławiu

Bibliografia

• [1] Martin Y., Williams C. C., Wickra-masinghe H. K.: Atomic force microscope-force mapping and profiling on a sub 100-A scale. J. Appl. Phys. 61 (10), pp. 4723-4729, 1987.
• [2] Stern J. E., Terris B. D., Mamin H. J., Rugar D.: Deposition and imaging of localized charge on insulator surfaces using a force microscope. Appl. Phys. Lett. 53, 2717, pp. 2717-2719, 1988.
• [3] Terris B. D., Stern J. E., Rugar D., Mamin H. J.: Localized charge force microscopy. Vac J,. Sci. Technol. A8, 374, pp. 374-377, 1990.
• [4] Morita S., (Ed.): Roadmap of Scanning Probe Microscopy. Berlin: Springer, 2006.
• [5] Nonnenmacher M., O'Boyle M. P., Wickramasighe H. W.: Kelvin probe force microscopy. Appl. Phys. Lett. 58 (25), pp. 2921-2923, 1991.
• [6] Jacobs H. O., Knapp H. F., Muller S., Stemmer A.: Surface potential mapping: A qualitative material contrast in SPM. Ultramicroscopy 69, 239, pp. 39-49, 1997.
• [7] Kitamura S., Suzuki K., Iwatsuki M.: High resolution imaging of contact potential difference using a novel ultrahigh vacuum non-contact atomic force microscope technique. Appl. Surf. Sci. 140, pp. 265-270, 1999.
• [8] Sikora A.: The influence of the electrical field on structures dimension measurement in Electrostatic Force Microscopy mode. Optica Applicata Vol. 39, No. 4, pp. 933-941, 2009.