GaAs/AlGaAs photonic crystals for VCSEL-type semiconductor lasers

• Autorzy: Kruszka R. , Ekielski M. , Gołaszewska K. , Korwin-Mikke K. , Sidor Z. , Wzorek M. , Pierścińska D. , Sarzała R. , Czyszanowski T. , Piotrowska A.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The results of modelling of the influence of photonic crystal on the performance of VCSEL-type semiconductor laser structure are shown and indicate that the use of those structures would significantly improve the working parameters of the devices. The method of fabrication of photonic crystals in the Bragg mirrors of GaAs/AlGaAs-based VCSELs is presented.

Słowa kluczowe

EN

photonic crystals; VCSEL lasers; ICP etching

• Wydawca: Stowarzyszenie Elektryków Polskich ; Polska Akademia Nauk ; Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Opto-Electronics Review
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 19, No. 1
• Strony: 51--55
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Kruszka R.

autor

Ekielski M.

autor

Gołaszewska K.

autor

Korwin-Mikke K.

autor

Sidor Z.

autor

Wzorek M.

autor

Pierścińska D.

autor

Sarzała R.

autor

Czyszanowski T.

autor

Piotrowska A.

• Institute of Electron Technology, 32/46 Lotników Ave., 02-668 Warsaw, Poland,

Bibliografia

• [1] T. Czyszanowski, M. Dems, and K. Panajotov: Optimal parameters of photonic-crystal vertical-cavity surface-emitting diode lasers. IEEE J. Lightwave Technol. 25, 2331-2336, 2007.
• [2] T. Czyszanowski: Thermal properties and wavelength analysis of telecom oriented photonic-crystal VCSELs. Opto-Electron. Rev. 18, 56-62, 2010.
• [3] T. Czyszanowski, R. P. Sarzała, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, W. Nakwaski, and K. Panajotov: Comparison of usability of oxide apertures and photonic crystals used to create radial optical confinements in 650-nm GaInP VCSELs. IEEE J. Quantum Elect. 43, 1041-1047, 2007.
• [4] T. Czyszanowski, R. P. Sarzała, M. Dems, H. Thienpont, W. Nakwaski, and K. Panajotov: Strong modes discrimination and low threshold in cw regime of 1300 nm AlInGaAs/InP VCSEL induced by photonic crystal. Phys. Status Solidi A206, 1396-1403, 2009.
• [5] P. Karbownik, R. P. Sarzała: Structure optimisation of short-wavelength ridge-waveguide InGaN/GaN diode lasers. Opto-Electron. Rev. 16, 27-33, 2008.
• [6] T. Czyszanowski, R. P. Sarzała, M. Dems, H. Thienpont, W. Nakwaski, and K. Panajotov: Opimal photonic-crystal parameters assuring single-mode operation of 1300 nm AlInGaAs vertical-cavity surface-emitting laser. J. Appl. Phys. 105, 093102, 2009.
• [7] Ł. Piskorski, M. Wasiak, R. P. Sarzała, and W. Nakwaski: Structure optimisation of modern GaAs-based InGaAs/ GaAs quantum-dot VCSELs for optical fibre communication. Opto-Electron. Rev. 17, 217-224, 2009.
• [8] T. D. Happ, M. Kamp, F. Klopf, and A. Forchel: Single mode lasers based on monolithic integration of ridge waveguides with 2D photonic crystal waveguides. Opt. Quant. Electron. 34, 1137-1144, 2002.
• [9] Y. K. Kim, A. J. Danner, J. J. Raftery, and K. D. Choquette: Focused ion beam nanopatterning for optoelectronic device fabrication. IEEE J. Sel. Top. Quant. 11, 1292-1298, 2005.
• [10] M. Dems, R. Kotynski, and K. Panajotov: Plane Wave Admittance Method - a novel approach for determining the electromagnetic modes in photonic structures. Opt. Express 13, 3196-3207, 2005.