Wpływ otoczenia na pomiary emisyjności układów mikroelektronicznych

• Autorzy: Błąd G. , Wałach T.

Warianty tytułu

EN

Surroundings influence on emissivity measurements of microelectronic circuits

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Termowizyjne badania układów mikroelektronicznych odbywają się zwykle przy niewielkiej odległości kamery termowizyjnej od układu, dla której kamera staje się bardzo ważnym elementem jego otoczenia, szczególnie kiedy w kamerze zastosowano chłodzony detektor. Detektor taki silnie różnicuje opromieniowanie układu. Wskutek czego ta jego część, która po odbiciu od jego powierzchni dociera do kamery, również może być silnie zróżnicowana. Zróżnicowanie to może być źródłem dużych błędów pomiarów emisyjności i temperatury okładów, przeprowadzonych przy założeniu, że temperatura i promieniowanie otoczenia są jednorodne i to nawet wtedy, gdy emisyjność jest dość wysoka. W pracy przedstawiono i omówiono główne czynniki warunkujące wpływ otoczenia na pomiary emisyjności w układach mikroelektronicznych, a także rożne metody stosowane do kompensacji tego wpływu.

EN

Investigations of microelectronics circuits by using infrared cameras most often are carried out for short measurement distances. For such distances the IR camera becomes a very important element of the surroundings of the investigated circuit, particularly when a cooled detector (single or matrix) was mounted in the camera. The cooled detector diversifies strongly the circuit irradiation, which can cause the radiation reflected from the circuit and reaching the camera to be also diversified. The diversification can lead to large errors in emissivity and temperature measurements of the circuits accomplished assuming that the surroundings is uniform and its temperature is equal to the ambient one, even if the emissivity is high In the paper the main factors determining the influence of the surroundings on emissivity measurements of microelectronic circuits were presented and discussed. Different methods used to compensate for this influence were also briefly described.

Słowa kluczowe

PL

podczerwień; termowizja; emisyjność; mikroelektronika

EN

infrared; thermal imaging; emissivity; microelectronics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 8
• Strony: 100--105
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Błąd G.

autor

Wałach T.

• Politechnika Rzeszowska, Zakład Systemów Elektronicznych i Telekomunikacyjnych

Bibliografia

• [1] Wałach T.: Properties of some hybrid microcircuit components in aspect of temperature measurements by infrared in thermography. Proc. of the 26th Int. Conf. IMAPS - Poland, Warsaw, 2002, pp. 225-230.
• [2] Wałach T.: Emissivity MeaSUREMENT on Electronic Microcircuits. MeaSUREMENT 41 (2008), 503-515.
• [3] Siegel R., Howell J. R.: thermal radiation heat transfer. McGrawHill Book Company, 1972.
• [4] Thermovision 900 Series, AGEMA Infrared Systems AB, Publication No. 556955, March 1991.
• [5] Thermovision 900 Series. User's Manual, AGEMA Infrared Systems AB.
• [6] Inagaki T., Okamoto Y.: Surface temperature meaSUREMENT near ambient conditions using infrared radiometers with different detections wavelength bands applying a grey-body approximation: estimation of radiative properties for non-metal surface. NDT&E International, vol 29, no. 6, pp. 363-369, 1996.
• [7] New Thermal Imaging Software Promotes greater Use of Infrared Thermography in Electronics Test and Measurement. AGEMA Infrared Systems AB, AG0922/K.
• [8] Kamiński A., Jouglar J., Volle C., Natalizio S., Vuillermoz P. L., Laugier A.: Non-destructive characterization of defects in devices using infrared thermography. Microelectronics Journal 30, 1999, pp. 1137-1140.
• [9] Wallin B.: Recent Developments in Thermal Radiometry. Lecture in Warsaw, Poland, 15 March 1994.
• [10] Passagalia E. (ed.): MeaSUREMENT of Physical Properties. Part 1. Soma Special Properties. Bunshah R.F. (ed.): Techniques of Metals Research. Vol. VI. Part 1, Dewitt D. P., Richmond J. C.: Theory and MeaSUREMENT of the Thermal Radiation Properties of Metals. Chapter 1, John Wiley and Sons, New York, 1972, 1-90.
• [11] Boue Ch., Founier D.: Cost-effective infrared thermography protocol for 40 µm spatial resolution quantitative microelectronic imaging. Infrared Physics & Technology 48, 2006, pp. 122-129.
• [12] Webb P. W.: Thermal imaging of electronic devices with low surface emissivity. IEE Proceedings - G, vol. 138, no. 3, 1991, pp. 390-400.
• [13] Wałach T.: Uwarunkowania dokładności termowizyjnych badań mikroukładów hybrydowych. Materiały 7. Konf. „Technologia Elektronowa” - ELTE 2000, Polanica Zdrój, 2000, ss. 1307-1312.