Modelowanie tranzystorów SiC-MOS

• Autorzy: Zarębski J. , Bisewski D.

Warianty tytułu

EN

Modelling of SiC-MOS transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystor ów MOS wykonanych z węglika krzemu (SiC). Wykorzystując literaturowy model omawianego tranzystora przeprowadzono obliczenia wybranych charakterystyk statycznych i zależności pojemności występujących w badanym tranzystorze od napięć zaciskowych, które porównano z wynikami pomiarów dwóch wybranych typów tranzystorów SiC-MOS. Ponadto zbadano wpływ temperatury na charakterystyki tych tranzystorów.

EN

The paper deals with a problem of modelling of MOS transistors made of silicon carbide (SiC). DC characteristics and dependences of transistor capacitances versus voltages calculated using a literature model have been compared with results of measurements of two chosen SiC-MOS transistors. Influence of the temperature on the investigated devices characteristics has been examined.

Słowa kluczowe

PL

modelowanie; tranzystory MOS; węglik krzemu

EN

modelling; MOS transistors; silicon carbide

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 7
• Strony: 177--180
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wykr.

Twórcy

autor

Zarębski J.

autor

Bisewski D.

Bibliografia

• [1] Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy. Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007.
• [2] Palmour J. W.: 4H-SIC High Temperature Devices. High Temperature Electronic Conference, HiTEC, vol. 2, 1996, pp. 1249-1254.
• [3] Sui Y., Tsuji T., Cooper J. A.: On-State Characteristics of SiC Power UMOSFETs on 115-mm Drift Layers. IEEE Electron Device Letters, vol. 26, no 4, 2005, pp. 255-257.
• [4] McNutt T. et al.: Silicon Carbide Power MOSFET Model and Parameter Extraction Sequence. IEEE Power Electronics Specialists Conference, PESC, Acapulco, Mexico, 2003, pp. 217-226.
• [5] McNutt T. et al.: Silicon Carbide Power MOSFET Model and Parameter Extraction Sequence. IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 22, no 2, 2007, pp. 353-363.
• [6] http://www.cree.com
• [7] Bisewski D.: Estymacja parametrów wybranych elementów półprzewodnikowych z wykorzystaniem algorytmu genetycznego. Raport badawczy, Seminaria Katedry Elektroniki Morskiej, Akademia Morska, Gdynia, 2009.
• [8] Bisewski D., Zarębski J.: Problem estymacji parametrów tranzystorów MESFET. Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice, ZKwE, Poznań, 2009, ss. 189-190.