Symulacja procesów monokrystalizacji materiałów półprzewodnikowych metodą VGF

• Autorzy: Łobodziński W. , Wesołowski M. , Wiechowski J. , Wolf-Łysiak D. , Orzechowski Z.

Warianty tytułu

EN

Simulation of semiconductors growing crystals process with VGF metod

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono wybrane aspekty modelowania pól temperatury w procesie produkcji monokryształów za pomocą techniki VGF. Omówiono podstawy, oraz zalety nowoczesnych technik monokrystalizacji. Opracowano algorytm obliczeniowy, pozwalający na precyzyjną symulację zjawisk cieplnych, zachodzących podczas wspomnianych procesów technologicznych. Opracowany algorytm modelowania może być przydatny w procesie projektowania nowoczesnych urządzeń, oraz charakterystyk roboczych, pozwalających na uzyskiwanie monokryształów o pożądanych parametrach.

EN

The article deals with some aspects of thermal field modeling in vertical gradient freeze technique used for crystals growing. The basics and quality of using new methods of crystals growing were discussed. A global two-dimensional model of multi-zone furnace was created for accurate calculations of heat transfer phenomenon in this case. The numerical model and calculating procedure can be used in the designing process of new furnaces.

Słowa kluczowe

PL

monokrystalizacja; piec wielostrefowy; modelowanie pól temperatury

EN

crystal growing process; multi-zone furnace; thermal field modeling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 7
• Strony: 161--164
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., wykr., il.

Twórcy

autor

Łobodziński W.

autor

Wesołowski M.

autor

Wiechowski J.

autor

Wolf-Łysiak D.

autor

Orzechowski Z.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa

Bibliografia

• [1] ANSYS - dokumentacja programu ANSYS v 10.0.
• [2] Carnahan B., Luther H. A., Wilkes J. O.: Applied Numerical Methods, John Wiley & Sons, New York.
• [3] Hering M.: Termokinetyka dla elektryków. Warszawa. WNT1980.
• [4] Hamming R. W.: Numerical Methods for Scientists and Engineers, McGraw-Hill Book Comp. New York, USA.
• [5] Orzyłowski M., Łobodziński W., Ostrowski P.: Automated Calibration of Temperature Sensors, Proceedings of the 2000 IEEE Instrumentation and Measurement Conference (IMTC/2000) Baltimore, USA, 1-4 May 2000, pp. 285-289.
• [6] Szargut J. i In.: Modelowanie numeryczne pół temperatury. Warszawa. WNT. 1992.
• [7] Wiśniewski S.: Wymiana ciepła. Warszawa. PWN 1979.
• [8] Levy H., Lessman F.: Finite Difference Equations. Sir Isaac Pi man and Sons, LTD London.
• [9] Diehl R. D.: High-Power Diode Lasers: Fundamentals, Technology, Applications With Contributions by Numerous Experts Springer Verlag, 2000.
• [10] Flade T: Explosion of Demand for Large Size GaAs Substrate for Device Manufacturing - the Reaction of a Wafers Supplier Compound Semiconductor Outlook, San Diego, CA February 26-28, 2001.
• [11] Itani K., Sasabe K., Wachi M., Mizuniwa S., Fujisaki I.: Low-dislocation-density GaAs Wafers Grown by Vertical Gradient Freeze Process, Suitable for Mass Production of Semiconductor Lasers. Hitachi Cable Review, no 20, August, 2001.
• [12] Weimann H., Amon J., Jung Th., Muller G.: Numerical simulation of the growth of 2" diameter GaAs crystals by the vertical gradient freeze technique. Crystal Growth, no 180, 1997, pp. 560-565.