Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC

• Autorzy: Orzyłowski M. , Rudolf Z.

Warianty tytułu

EN

Technological parameters of system for SiC monocrystallization

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule jest omówiona konstrukcja oraz wyniki badań stanowiska do monokrystalizacji SiC, które zostało opracowane w ITR. Zbadane zostały możliwości zapewnienia właściwej atmosfery gazowej oraz sterowanie temperaturą procesu. Wykazano spełnienie wysokich wymagań czystości procesu oraz wymagań wysokiej jakości sterowanie programowanym ciśnieniem. Stwierdzono także możliwość kształtowania w dużym zakresie zmiennego gradientu temperatury w tyglu oraz wysoką jakość programowej regulacji temperatury tygla, uzyskane dzięki nowej konstrukcji układu grzejnego.

EN

The paper describes the construction and the results of testing of system for SiC monocrystallization developed in ITR. The tests include the gas atmosphere and the temperature of process tests. The assurance of high purity of the process and high quality pressure control are confirmed. Due to new construction of heating system the possibility of temperature gradient creation of the wide range and high quality temperature programmed control in the crucible were achieved.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; monokrystalizacja; wysokotemperaturowy piec próżniowy

EN

silicon carbide; monocrystallization; high-temperature vacuum furnace

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 7
• Strony: 150--154
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., wykr.

Twórcy

autor

Orzyłowski M.

autor

Rudolf Z.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa

Bibliografia

• [1] Kościkiewicz K., Tymicki E., Grasza K., (2006) SiC - Materiał dla mikroelektroniki. Elektronika, Wydawnictwo Sigma-NOT, nr 9/2006, ss. 22-27, ISSN 0033-2089.
• [2] Rozmowa z dr Zygmuntem Łuczyńskim, dyrektorem Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych, http://www.elektronikab2b/content/view/1768/lang,pl/
• [3] Chena Q. S., Zhanga H., Prasad V., Balkasb C. M., Yushinb N. K., Wang S.: Kinetics and modeling of sublimation growth of silicon carbide bulk crystal. Journal of Crystal Growth, Elsevier Science B. V., no 224 (2001), pp. 101-110.
• [4] Chena Q. S., Zhanga H., Prasad V.: Heat transfer and kinetics of bulk of silicon carbide. Journal of Crystal Growth, Elsevier Science B. V., no 230 (2001), pp. 239-246.
• [5] Łobodziński W., Orzyłowski M., Rudolf Z., Orzechowski Z., Kozłowski J., Wiechowski J.: Stanowisko do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo Sigma-NOT, nr 12/2008, ss. 49-54, ISBN 0033-2089.
• [6] Orzyłowski M., Łobodziński W.: System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo Sigma-NOT, nr 3/2008, ss. 95-99, ISBN 0033-2089.
• [7] Haines J. R., Tsai C. C.: Graphite Sublimation Tests for the Muon Collider/Neutrino Factory Target Development Program. Oakridge National Laboratory, Ferbruary 2002.
• [8] The Industrial Graphite Engineering Handbook. Union Carbide Corporation, 1969.
• [9] Darken S. L. and Gurry R. W.: Physial Chemistry of Metals. McGraw-Hill, 1953.