Niechłodzone i minimalnie chłodzone detektory średniej i dalekiej podczerwieni nowej generacji

• Autorzy: Piotrowski A. , Gawron W. , Kłos K. , Rutkowski J. , Orman Z. Z. , Pawluczyk J. , Stanaszek D. , Mucha H. , Piotrowski J. , Rogalski A.

Warianty tytułu

EN

New generation of near-room temperature middle-wavelength and long-wavelength infrared photodetectors

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 7 ; 02-04.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia wyniki prac badawczych uzyskanych w Vigo System S.A. i Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 5.1 PBZ-MiN-009/T11/2003 pt.: Opracowanie i wykonanie niechłodzonych i minimalnie chłodzonych detektorów średniej i dalekiej podczerwieni nowej generacji. W ramach tej pracy opracowano technologie i przebadano właściwości dwu klas detektorów: detektorów do spektroskopii Fouriera zakresu 3...16 mm i detektorów do szerokopasmowej (1 Gb/s) łączności optycznej w otwartej przestrzeni.

EN

This article presents scientific results of works carried out in VIGO System S.A. and Institute of Applied Physics Military University of Technology, accomplished during realization of grant 5.1 PBZ-MiN-009/T11 /2003 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education and entitled Elaboration and realization of new generation near room temperature middle- and long-wavelength infrared detectors. The paper describes the technology and properties of two types of detectors: photodetectors for Fourier spectroscopy and photodetectors for wide band optical space communication.

Słowa kluczowe

PL

niechłodzone i minimalnie chłodzone detektory; fotodetektory z HgCdTe; czułość widmowa; szybkość odpowiedzi; wykrywalność

EN

near-room temperature operation; HgCdTe photodetectors; spectral response; speed response; detectivity

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 11
• Strony: 112--121
• Opis fizyczny: Bibliogr. 26 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Piotrowski A.

autor

Gawron W.

autor

Kłos K.

autor

Rutkowski J.

autor

Orman Z. Z.

autor

Pawluczyk J.

autor

Stanaszek D.

autor

Mucha H.

autor

Piotrowski J.

autor

Rogalski A.

• VIGO Systems S.A., Ożarów Mazowiecki

Bibliografia

• [1] Piotrowski J., Galus W., Grudzień M.: Near room-temperature IR photodetectors. Infrared Physics 31, 1-48 (1991).
• [2] Piotrowski J., Gawron W., Djuric Z.: New generation of near-room-temperature photodetectors. Opt. Eng. 33, 1413-1421 (1994).
• [3] Piotrowski J.: Hg1-xCdxTe detectors. W Infrared Photon Detectors, pp. 391-493, edytor: A. Rogalski, SPIE Optical Engineering Press, Bellingham, 1995.
• [4] Piotrowski J., Rogalski A.: Photoelectromagnetic, magneto-concentration and Dember infrared detectors. W Narrow-Gap II-VI Compounds for Optoelectronic and Electromagnetic Applications, pp. 506-525, edytor P. Capper, Chapman & Hall, London, 1997.
• [5] Piotrowski J., Gawron W.: Ultimate performance of infrared photodetectors and figure of merit of detector material. Infrared Phys. Technol. 38, 63-68 (1997).
• [6] Piotrowski J., Rogalski A.: New generation of infrared photodetectors. Sensors and Actuators A67, 146-152 (1998).
• [7] Piotrowski J., Nowak Z., Antoszewski J., Musca C., Dell J., Faraone L.: A novel multi-heterojunction HgCdTe long-wavelength infrared photovoltaic detector for operation under reduced cooling conditions. Semicond. Sci. Technol. 13, 1209-1214 (1998).
• [8] Rogalski A., Adamiec K., Rutkowski J.: Narrow-Gap Semiconductor Photodiodes. SPIE Press, Bellingham, 2000.
• [9] Gawron W., Rogalski A.: HgCdTe buried multi-junction photodiodes fabricated by the liquid phase epitaxy. Infared Physics and Technol. 43, 157-163 (2002).
• [10] Piotrowski A., Piotrowski J.: Material growth, device design, and applications for uncooled LWIR HgCdTe detectors. Proc. SPIE 6206, (2006).
• [11] Piotrowski J., Piotrowski A.: Uncooled infrared photodetectors in Poland. Opto-Electron. Rev. 14, 37-45 (2006).
• [12] Piotrowski J., Rogalski A.: High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors. SPIE Press, Bellingham (2007).
• [13] Irvine S. J. C.: Metal-organic vapour phase epitaxy. W Narrow-gap II-VI Compounds for Optoelectronic and Electromagnetic Applications, pp. 71-96, edytor P. Capper, Chapman@Hall, London, 1997.
• [14] Piotrowski A., Gawron W., Kłos K., Pawluczyk J., Piotrowski J., Madejczyk P., Rogalski A.: Improvements in MOCVD growth of Hg1-xCdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Proc. SPIE 5957, 59570J (2005).
• [15] Piotrowski A., Madejczyk P., Gawron W., Kłos K., Pawluczyk J., Grudzień M., Piotrowski J., Rogalski A.: Growth of MOCVD HgCdTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Bul. Pol. Ac.: Tech. 53, 139-149, 2005.
• [16] Madejczyk P., Piotrowski A., Gawron W., Kłos K., Pawluczyk J., Rutkowski J., Piotrowski J., Rogalski A.: Growth and properties of MOCVD HgCdTe epilayers on GaAs substrates. Opto-Electron. Rev. 13, 239-251, 2005.
• [17] Piotrowski A., Madejczyk P., Gawron W., Kłos K., Pawluczyk J., Rutkowski J., Piotrowski J., Rogalski A.: Progress in MOCVD growth of HgCdTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Infrared Physics & Technology 49, 173-182, 2007.
• [18] Madejczyk P.: Wpływ domieszkowania na właściwości warstw epitaksjalnych z HgCdTe. Rozprawa doktorska WAT, Warszawa, 2005.
• [19] Piotrowski A.: Otrzymywanie metodą MOCVD heterostruktur Hg1-xCdxTe stosowanych w niechłodzonych detektorach podczerwieni. Rozprawa doktorska WAT, Warszawa, 2007.
• [20] Piotrowski A., Kłos K.: Metal-organic chemical vapor deposition of HgCdTe fully doped heterostructures without post-growth anneal for uncooled MWIR and LWIR detectors. J. Electron. Mater. 36, 1052-1058 (2007).
• [21] Mitra P., Case F. C., Reine M. B.: Progress in MOVPE of HgCdTe for advanced infrared detectors. J. Electron Mater. 27, 510-519 (1998).
• [22] Maxey C. D., Jones C. L., Metcalfe N. E., Catchpole R., Houlton M. R., White A. M., Gordon N. T., Elliott C. T.: Growth of fully doped HgCdTe heterostructures using a novel iodine doping source to achieve improved device performance at elevated temperatures. J. Electron. Mater. 25, 1276-1285 (1996).
• [23] www.viqo.com.pl
• [24] Elliott T.: New infrared and other applications of narrow gap semiconductors. Proc. SPIE 3436, 763-775 (1998).
• [25] Elliott C. T.: Photoconductive and non-equilibrium devices in HgCdTe and related alloys, w Infrared Detectors and Emitters: Materials and Devices, s. 279-312, edytorzy: P. Capper i C.T. Elliott, Kluwer Academic Publishers, Boston, 2001.
• [26] Piotrowski A., Kłos K., Gawron W., Pawluczyk J., Orman Z., Piotrowski J.: Uncooled or minimally cooled 10 um photodetectors with subnanosecond response time. Proc. SPIE 6542 (2007).