Diody laserowe dużej mocy i matryce diod laserowych na pasmo 800 nm

• Autorzy: Maląg A. , Strupiński W. , Teodorczyk M. , Dobrzański L. , Dąbrowska E. , Grodecki K.

Warianty tytułu

EN

High-power laser diodes and arrays for 800 nm wavelength range

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 7 ; 02-04.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia wyniki prac nad optymalizacją konstrukcji diod laserowych dużej mocy i liniowych matryc diod laserowych na pasmo 800 nm. Przedstawione są charakterystyki elektrooptyczne diod laserowych o mocy emitowanej do 2,5 W i do 5 W w pracy ciągłej (CW), zależnie od rozmiarów rezonatora oraz matryc złożonych z 8. emiterów o mocy optycznej do 12 W (CW). Dla poprawy sprawności sprzężenia optycznego (np. ze światłowodem) zredukowano rozbieżność wiązki promieniowania diod do ok. 15° przez odpowiednie przeprojektowanie heterostruktury z naprężoną studnią kwantową GaAsP/(AlGa)As.

EN

The paper presents the results of studies on design optimisation of high power laser diodes and arrays for 800 nm wavelength range. Electrooptical characteristics of laser diodes emitting optical power up to 2.5 W and to 5 W (CW), depending on cavity size and of 8-emitter-arrays emitting up to 12 W (CW) are presented. Emitted beam divergence has been reduced down to some 15° by using modified design of tensile-strained GaAsP/(AlGa)As heterostructure.

Słowa kluczowe

PL

diody laserowe; diodowe matryce laserowe; moc optyczna; sprawność energetyczna; rozbieżność wiązki laserowej; widmo promieniowania

EN

laser diodes; laser diode arrays; optical power; power conversion efficiency; laser beam divergence; emission spectrum

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 11
• Strony: 108--112
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Maląg A.

autor

Strupiński W.

autor

Teodorczyk M.

autor

Dobrzański L.

autor

Dąbrowska E.

autor

Grodecki K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Librant Z., et al.: Optical and laser characterization of 2% Nd:YAG ceramics elements. Proc SPIE vol. 6998, Photonics Europe, Conference: Solid State Lasers and Amplifiers III, Jonathan A. Terry; Thomas Graf; Helena Jelinkova, Editors, p. 69981A, 2008.
• [2] Knauer A. et al.: High-power 808 nm lasers with a super-large optical cavity. Semiconductor Sci. Technol., vol. 20, No. 6 (2005), pp. 621-624.
• [3] Malag A.: Beam divergence and COD issues in double barrier separate confinement heterostructure laser diodes. Bull. of the Polish Academy of Sciences, Techn. Sciences, 53, no. 2 (2005), pp. 167-173.
• [4] Malag A. et al.: High power low vertical beam divergence 800 nm-band double-barrier-SCH GaAsP/(AlGa)As laser diodes. IEEE PTL, 2006, 18, 15, pp.1582 -1584.