Zastosowanie niebieskich laserów do detekcji substancji śladowych

• Autorzy: Komorowska K. , Perlin P. , Leszczyński M. , Czernecki R. , Grzegory I. , Porowski S. , Stacewicz T. , Goss J. , Wojtas J. , Bielecki Z. , Czyżewski A.

Warianty tytułu

EN

Blue semiconductor laser applications to trace substances detection

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 7 ; 02-04.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono zastosowanie niebieskiego lasera półprzewodnikowego - struktury wielostudni kwantowych InGaN/GaN - do detekcji substancji śladowych. Wykonano pomiary absorpcji opierając się na technice wysokiej czułości - Spektroskopii Strat we Wnęce Optycznej (ang. Cavity Ring Down Spectroscopy) pozwalającej na detekcję współczynnika absorpcji nawet na poziomie ~10^-8 m^-1. Przedstawiono przykład detekcji NO2 o niskiej koncentracji (5 ppb) przy użyciu prototypu zaprojektowanego systemu przenośnego do detekcji śladowych ilości substancji wykorzystującego technikę SSWO.

EN

We demonstrate a blue semiconductor multiquantum well InGaN/GaN laser that is applied for trace elements detection. We performed the absorption measurements using a highly sensitive spectroscopic technique - Cavity Ring Down Spectroscopy (CRDS) which allows detection of absorption coefficien even as small as ~10^-8 m^-1. An example of low concentration (5ppb) NO2 detection measurements using a prototype of specially designed mobile setup based on CRDS technique is presented.

Słowa kluczowe

PL

niebieska optoelektronika; lasery azotkowe; detekcja substancji śladowych

EN

blue optoelectronics; nitride lasers; trace substances detection

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 11
• Strony: 101--104
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., wykr.

Twórcy

autor

Komorowska K.

autor

Perlin P.

autor

Leszczyński M.

autor

Czernecki R.

autor

Grzegory I.

autor

Porowski S.

autor

Stacewicz T.

autor

Goss J.

autor

Wojtas J.

autor

Bielecki Z.

autor

Czyżewski A.

• Instytut Fizyki Doświadczalnej, Instytut Wysokich Ciśnień PAN "Uniprees", Warszawa

Bibliografia

• [1] Nakamura S., Senoh M., Iwasa N., Nagahama S.: High-power InGaN single-quantum-well-structure blue and violet light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 67, pp. 1868-1870 (1995).
• [2] Busch K. W., Busch M. A.: Cavity-Ringdown Spectroscopy. ACS Symposium series, American Chemical Society, Washington DC, 1999.
• [3] Stacewicz T., Czyżewski A.: Cavity enhanced spectroscopy for trace gases detection. SPIE 5954-27 (2005).
• [4] Czyżewski A., Ernst K., Karasiński G., Skubiszak W., Stacewicz T., Rairoux P., Lange H.: Cavity Ring-Down Spectroscopy for trace gas analysis. Acta Physica Polonica B 33, pp. 2255-2267, (2002).
• [5] Czyżewski A.: Badanie absorpcji metodą CRDS. Praca doktorska, Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, 2003.
• [6] Mazurenka M. I., Fawcett B. I., Elks J. M. F., Shallcross D. E., Orr-Ewing A. J.: 410 nm diode laser cavity ring down spectroscopy for trace detection of NO2. Chem. Phys. Lett 367, pp. 1-9, (2003).
• [7] Perlin P., Leszczyński M., Prystawko P, et al.: High-power, pulse-current-operated, violet light emitting lasers grown on bulk GaN substrates. Proceedings of the SPIE The International Society for Optical Engineering. 2004; 5365(1): pp. 288-96.
• [8] Teisseyre H., Perlin P., Suski T., et al: Temperature dependence on the energy gap in GaN bulk single crystals and epitaxial layer. J. Appl. Phys. 76, 2429 (1994).
• [9] Świetlik T., Franssen G., Wiśniewski P. et al.: Anomalous temperature characteristics of single wide quantum well InGaN laser diode. Appl. Phys. Lett. 88, 71121 (2006).