Otrzymywanie i charakterystyka właściwości ceramiki Y2/3CuTa4O12 jako dielektryka kondensatorów z zaporową warstwą wewnętrzną

• Autorzy: Szwagierczak D. , Kulawik J.

Warianty tytułu

EN

Preparation and characterization of the properties of Y2/3CuTa4O12 ceramic as dielectric for internal barrier layer capacitors

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 7 ; 02-04.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono syntezę i warunki spiekania nowego materiału ceramicznego Y2/3CuTa4O12 o wysokiej przenikalności elektrycznej. Wyniki badań zespolonej impedancji ceramicznych próbek, przeprowadzone w zakresie częstotliwości 10Hz...2MHz w szerokim zakresie temperatur -170...700°C, były analizowane w formalizmach impedancji, przenikalności i modułu elektrycznego. W badanym zakresie częstotliwości i temperatur wyróżniono dwa rodzaje odpowiedzi związane z półprzewodnikowymi ziarnami i izolacyjnymi granicami ziaren. Dielektryczne zachowanie przypisano spontanicznemu tworzeniu się kondensatorów z zaporową warstwą wewnętrzną.

EN

In this paper the synthesis and sintering conditions of a new ceramic high permittivity material Y2/3CuTa4O12 are presented. Complex impedance studies of the ceramic samples carried out in the frequency range 10Hz...2MHz and over wide temperature range -170...700°C were analyzed in impedance, permittivity and electric modulus formalisms. Two distinct contributions attributed to semiconducting grains and insulating grain boundaries were distinguished in the studied frequency and temperature ranges. The dielectric behavior of the ceramics was ascribed to the spontaneous formation of internal barrier layer capacitors.

Słowa kluczowe

PL

ceramika; Y2/3CuTa4O12; kondensator z zaporową warstwą wewnętrzną; spektroskopia impedacyjna

EN

Y2/3CuTa4O12; ceramic; internal barrier layer capacitor; impedance spectroscopy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 11
• Strony: 73--76
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wykr.

Twórcy

autor

Szwagierczak D.

autor

Kulawik J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Oddział w Krakowie

Bibliografia

• [1] Subramanian M. A., Li D., Duan N., Reisner B. A., Sleight A. W.: High Dielectric Constant in ACu3Ti4O12 and ACu3Ti3FeO12 Phases. J. Solid State Chemistry, vol. 151, pp. 323-325, 2000.
• [2] Subramanian M. A., Sleight A. W.: ACu3Ti4O12 and ACu3Ru4O12 perovskites: high dielectric constants and valence degeneracy. Solid State Sciences, vol. 4, pp. 347-351, 2002.
• [3] Sinclair D. C., Adams T. B., Morrison F. D., West A. R.: CaCu3Ti4O12: One-step internal barrier layer capacitor. App. Phys. Lett., vol. 80, pp. 2153-2155, 2002.
• [4] Shri Prakash B., Varma K. B. R.: The influence of the segregation of Cu-rich phase on the microstructural and impedance characteristics of CaCu3Ti4O12 ceramics. J. Mater. Sci., vol. 42, pp. 7467-7477, 2007.
• [5] Shao S. F., Zhang J. L., Zheng P., Wang C. L.: Effect of Cu-stoichiometry on the dielectric and electric properties in CaCu3Ti4O12 ceramics. Solid State Communications, 2007, 142, 281-286.
• [6] Ni L., Chen X. M., Liu X. Q., Hou R. Z.: Microstructure-dependent giant dielectric response in CaCu3Ti4O12 ceramics. Solid State Communications, 2006, 139, 45-50.
• [7] Liu J., Duan C-G., Yin W-G., Mei W. N., Smith R. W., Hardy J. R.: Large dielectric constant and Maxwell-Wagner relaxation in Bi2/3Cu3Ti4O12. Phys. Rev. B, vol. 70, 144106, 2004.
• [8] Renner B., Lunkenheimer P., Schetter M., Loidl A., Reller A., Ebbinghaus S. G.: Dielectric behavior of copper tantalum oxide. J. Appl. Phys., vol. 96, pp. 4400-4404, 2004.