Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Formation of diffusion layer with using slowly doped dopants
Konferencja
Krajowa Konferencja Elektroniki. 7 ; 02-04.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
Języki publikacji
Abstrakty
W trakcie prac przeprowadzono rozważania teoretyczne i badania doświadczalne, które mają dać odpowiedź, jak kształtować warstwę emiterową w procesie domieszkowania dyfuzyjnego. Źródłem domieszki był arsen. Aplikacja źródła odbywała się poprzez rozwirowanie. Analizowano dwa podstawowe parametry charakteryzujące warstwę dyfuzyjną: rezystancję powierzchniową Rs [W/D] oraz głębokość położenia złącza xj [µm]. Otrzymane struktury półprzewodnikowe były oceniane pod kątem przydatności do użycia jako ogniwa słoneczne. Dokonano również oceny, czy proces wytwarzania jest opłacalny i czy ma szansę w zastosowaniu na skalę przemysłową.
The study covered theoretical and experimental investigations which should answer the question how to form a doped layer during diffusion doping. Arsenic was the dopant applied by the spin-on technique. The two most important parameters of emitter layers are surface resistance RS[W/D] and xj junction depth [µm]. An analysis of their results helps to determine whether a given process is reproducible. Moreover, this helps assess the quality of a finished product. Strict and frequent control of the parameters detects the weakest points of the process of diffusion layer production. This results in an increase in the output which is the most important parameter of industrial production.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
70--72
Opis fizyczny
Bibliogr. 3 poz., il., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
- Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, Gliwice
Bibliografia
- [1] Waczyński K., Krompiec S., Matysek-Majewska D.: Badania nad zastosowaniem szkliw domieszkowanych arsenem i antymonem w półprzewodnikowej technologii krzemowej. Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, z. 129, Gliwice 1993.
- [2] Waczyński K., Wróbel E., Pruszowski Z.: Some problems with applications of spin - on dopant source in silicon technology. Proceedings of 21-th ISHM Poland Chapter, Wrocław 1998.
- [3] Wróbel E., Waczyński K., Filipowski W.: Arsenic-doped glasses in the technology of photovoltaic structures. XXXI International Conference of IMAPS Poland Chapter, Rzeszów-Krasiczyn, 23-26.09.2007.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAC-0001-0015