Kształtowanie warstw dyfuzyjnych przy wykorzystaniu domieszek wolnodyfundujących

• Autorzy: Wróbel E. , Filipowski W. , Waczyński K.

Warianty tytułu

EN

Formation of diffusion layer with using slowly doped dopants

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 7 ; 02-04.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W trakcie prac przeprowadzono rozważania teoretyczne i badania doświadczalne, które mają dać odpowiedź, jak kształtować warstwę emiterową w procesie domieszkowania dyfuzyjnego. Źródłem domieszki był arsen. Aplikacja źródła odbywała się poprzez rozwirowanie. Analizowano dwa podstawowe parametry charakteryzujące warstwę dyfuzyjną: rezystancję powierzchniową Rs [W/D] oraz głębokość położenia złącza xj [µm]. Otrzymane struktury półprzewodnikowe były oceniane pod kątem przydatności do użycia jako ogniwa słoneczne. Dokonano również oceny, czy proces wytwarzania jest opłacalny i czy ma szansę w zastosowaniu na skalę przemysłową.

EN

The study covered theoretical and experimental investigations which should answer the question how to form a doped layer during diffusion doping. Arsenic was the dopant applied by the spin-on technique. The two most important parameters of emitter layers are surface resistance RS[W/D] and xj junction depth [µm]. An analysis of their results helps to determine whether a given process is reproducible. Moreover, this helps assess the quality of a finished product. Strict and frequent control of the parameters detects the weakest points of the process of diffusion layer production. This results in an increase in the output which is the most important parameter of industrial production.

Słowa kluczowe

PL

domieszkowanie półprzewodników; metoda spin-on; parametry warstw dyfuzyjnych

EN

doping of semiconductors; spin-on method; parameters of diffusion layers

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 11
• Strony: 70--72
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Wróbel E.

autor

Filipowski W.

autor

Waczyński K.

• Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, Gliwice

Bibliografia

• [1] Waczyński K., Krompiec S., Matysek-Majewska D.: Badania nad zastosowaniem szkliw domieszkowanych arsenem i antymonem w półprzewodnikowej technologii krzemowej. Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, z. 129, Gliwice 1993.
• [2] Waczyński K., Wróbel E., Pruszowski Z.: Some problems with applications of spin - on dopant source in silicon technology. Proceedings of 21-th ISHM Poland Chapter, Wrocław 1998.
• [3] Wróbel E., Waczyński K., Filipowski W.: Arsenic-doped glasses in the technology of photovoltaic structures. XXXI International Conference of IMAPS Poland Chapter, Rzeszów-Krasiczyn, 23-26.09.2007.