Rezonansowy wzmacniacz mocy klasy C w stanie przewzbudzonym

• Autorzy: Modzelewski J.

Warianty tytułu

EN

Overdrive operation of the class-C resonant power amplifier

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 7 ; 02-04.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono uproszczoną analizę rezonansowego wzmacniacza mocy klasy C z tranzystorami MOSET pracującego w stanie przewzbudzonym. Tranzystor jest modelowany w postaci charakterystyk statycznych Ι_D (U_GS, U_DS) i pojemności międzyelektrodowych (włączonych w skład wejściowego i wyjściowego obwodu rezonansowego). Przyjmując sinusoidalny przebieg napięcia drenu i odcinkowo-liniową aproksymację charakterystyk Ι_D (U_GS, U_DS) obliczono zależność amplitudy napięcia drenu i sprawności drenowej wzmacniacza klasy C pracującego w stanie przewzbudzonym od napięcia zasilania. Symulacje PSPICE wykazały, że napięcie drenu w przewzbudzonym wzmacniaczu klasy C może być uznane za sinusoidalne tylko wtedy, gdy rezystancja włączenia tranzystora jest dostatecznie duża w stosunku do rezystancji obciążenia tranzystora (R_ds(on) ≥ 0,1R_d).

EN

A simplified analysis of the overdriven Class C h.f. resonant power amplifier with MOSFET transistor is presented. The transistor is modeled by its static characteristics Ι_D (U_GS, U_DS) and inter-electrode capacitances (included in the input ancToutput resonant circuits of the amplifier). For the sinusoidal drain voltage and the piecewise linear appreciation of the characteristics Ι_D (U_GS, U_DS) the amplitude of the drain voltage and the drain efficiency oftne ulass-C overdriven amplifier is calculated as functions of the supply voltage. The PSPICE simulations have proven that the drain voltage in the overdriven Class C amplifier may be regarded as sinusoidal only if the transistor on-re-sistance is sufficiently high in comparison with the drain load resistance (R_ds(on) ≥ 0,1R_d).

Słowa kluczowe

PL

modulator amplitudy dużej mocy; statyczna charakterystyka modulacji drenowej; stan silnie przewzbudzony; symulacja PSPICE wzmacniacza klasy C

EN

high-power amplitude modulator; drain-modulation static characteristic; strongly overdrive operation; PSpice simulation of Class-C amplifier

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 11
• Strony: 36--39
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., wykr.

Twórcy

autor

Modzelewski J.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Bibliografia

• [1] Kahn L. R.: Single sideband transmission by envelope elimination and restoration. Proc. IRE, vol. 40, no. 7, pp. 803-806, July 1952.
• [2] Ryżko S., Ebert J.: Wzmacniacze rezonansowe i generatory mocy wielkiej częstotliwości. WNT, Warszawa, 1971.
• [3] Albulet M.: RF Power Amplifiers. Noble Publishing Corp., Atlanta, 2001.