Badania właściwości fizycznych warstwy SiO2 pod bramką aluminiową

• Autorzy: Borowicz L. , Rzodkiewicz W. , Kulik M. , Borowicz P.

Warianty tytułu

EN

Investigations of physical properties of SiO2 layer under the aluminium gate

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 7 ; 02-04.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono fizyczne właściwości warstwy dwutlenku krzemu położonego pod bramką aluminiową, ze szczególnym uwzględnieniem zachodzącego w tejże warstwie ciśnienia i występujących tam struktur. W badaniach wykorzystane zostały następujące narzędzia pomiarowe: spektrometr ramanowski, interferometr Fizeau i mikrointerferometr MII4.

EN

In this paper physical properties of silicon dioxide under the aluminium gate were described. Particularly, in our studies a pressure and two kinds of structures occuring in the layer were taken into account. In our investigations, the following measurements tools such as raman spectrometer, Fizeu interferometer and MII4 microinterferometerwere applied.

Słowa kluczowe

PL

SiO2; interferencja; rozpraszanie ramanowskie; bramka Al; współczynnik załamania; naprężenia

EN

SiO2; interference; Raman scattering; Al gate; refractive index; stresses

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 11
• Strony: 29--32
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Borowicz L.

autor

Rzodkiewicz W.

autor

Kulik M.

autor

Borowicz P.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Borowicz L. K., Borowicz R., Rzodkiewicz W., Piskorski K.: Pomiary naprężeń w strukturach MOS metodą interferencyjną i za pomocą elipsometrii spektroskopowej. Pomiary Automatyka Kontrola, vol. 53, ss. 325-328, 2007.
• [2] Stoney G. G.: The tension of metalic films deposited by electrolysis. Proc. Royal Society, vol. 9, pp. 172-175, 1909.
• [3] Huang S., Hang X.: Extension of the Stoney formula for film-substrate systems with gradient stress for MEMS applications. J. Micromech. Microeng., vol. 16, pp. 382-389, 2006.
• [4] Vilms J., Kerps D.: Simple stress formula for multilayered thin films on a thick substrate. Journal of Applied Physics, vol. 53, pp. 1536-1537, 1982.
• [5] Rzodkiewicz W., Borowicz L.: Application of interferences methods for determination of curvature radius in MOS structures. Optica Applicata, vol. 35, pp. 523-527, 2005.
• [6] Przewłocki H. M., Kudła A., Brzezińska D., Lis D., Boużyk A., Rzodkiewicz W.: Studies of physical properties of MOS structures by means of photelectric, optical and electrical methods. Prace ITE, z. 5-8, pp. 121-131, 2000.
• [7] Hecht M. H., Vasquez R. P., Grundhaner F. J., Zamani N., Maserjian J.: A now x-ray photelectron study of Al/SiO2 interface. Journal of Applied Physics, vol. 57, pp. 5256-5261, 1985.
• [8] Bauer R. S., Bachrach R. Z.: Au and Al interface reactions with SiO2. Applied Physics Letters, vol. 37, pp. 1006-1008, 1980.
• [9] Black J. R.: The Reaction of Al with Vitreous Silica. IEEE Reliab Phys. Conf., vol. 15, pp. 257-260, 1977.
• [10] Devine R. A. B., Duraud J. P., Dooryhée E.: Structure and Imperfections In Amorphous and Crystalline Silikon Dioxide. John Wiley & Sons, LTD, 2000.
• [11] Loefeld G. H., Cave N. G., Menendez J.: Polarized off-exis Raman spectroscopy: A technique for measuring stress tensors in semiconductors. Journal of Applied Physics, vol. 86, pp. 6164 6180, 1999.
• [12] Research W.: New generation signal and image analysis for Mathematica Wavelet Explorer, pp. 144-146, 1996.
• [13] MacMillan P. F., Dubussy J., Hemley R.: Applictaions in Earth, Planetary and Environmental Sciences. In Raman Microscopy. Developments and Applications, pp. 289-365 1996.
• [14] Mcmillan P. F.: Vibrational Studies of Amorphous SiO2. In The Physics and Technology of Amorphous SiO2, pp. 63-70, R.A.B Devine. Meyland, France: National Center for Telecommunications Studies, 2000.