Zjawiska fluktuacyjne w obszarze interfejsu warstw rezystora grubowarstwowego

• Autorzy: Stadler A. W. , Kolek A. , Zawiślak Z. , Mleczko K.

Warianty tytułu

EN

Fluctuation phenomena in conductive/resistive layers interface of thick-film resistors

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (7 ; 02-04.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Pokazano, że pewne systemy past rezystywnych i przewodzących używane do wytwarzania rezystorów grubowarstwowych cechuje wzrost gęstości termicznie aktywowanych źródeł szumów ulokowanych w obszarze interfejsu warstw. Te źródła szumów podlegają procesowi przełączania, który skokowo zmienia układ aktywnych fluktuatorów i ich wkład w całkowity szum mierzony na zaciskach rezytora. Badania pozwalają związać zjawisko przełączania z uwalnianiem naprężeń mechanicznych, które w rezystorach grubowarstwowych powstają na skutek niedopasowania temperaturowych współczynników rozszerzalności liniowej materiałów wchodzących w skład warstw rezystywnej i przewodzącej oraz podłoża.

EN

It is shown that certain resistive and conductive inks used for the fabrication of thick film resistors are characterized by enhanced denisty of thermally activated noise sources localized in the resistive/conductive layers interface. These noise sources are subjected to the switching phenomenon, which narrowly changes the set of active fluctuators and their contribution to the overall noise measured at resistors terminations. Extensive experiments allow to attribute the switchings to the relaxation of mechanical stress, which in thick film resistors appears due to the mismatch of thermal expansion coefficients of the materials contained in the layers and/or the substrate.

Słowa kluczowe

PL

rezystor grubowarstwowy; szumy m. cz.; obszar przykontaktowy; efekt wymiarowy; spektroskopia szumowa; relaksacja naprężeń

EN

thick film resistor; low-frequency noise; contacts area; dimensional efect; noise spectroscopy; stress relaxation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 11
• Strony: 22--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., il.

Twórcy

autor

Stadler A. W.

autor

Kolek A.

autor

Zawiślak Z.

autor

Mleczko K.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki, Rzeszów

Bibliografia

• [1] Yamaguchi T., Kageyama T.: Effect of RuO2 on the behavior of silver thick-film terminations. IEEE Trans. CHMT 11, 134-6, 1988.
• [2] Pellegrini B. et al.: 1/f noise in thick film resistors as an effect of tunnel and thermally activated emissions, from measures versus frequency and temperature, Phys. Rev. B 27, 1233. 1983.
• [3] Kolek A., Zawiślak Z., Stadler A. W.: Źródła szumów w rezystorach grubowarstwowych na bazie dwutlenku rutenu, Elektronika, 10, 38-40, 2005.
• [4] Kolek A., Stadler A. W., Zawiślak Z.: Proceedings of XXX International Conference of IMAPS Poland Chapter, Kraków, 2006, p. 161.
• [5] Kolek A. et al.: Low-frequency 1/f noise of RuO2-glass thick resistive film. J. Appl. Phys. 102, 103718 2007.
• [6] Kolek A. et al.: Noise and switching phenomena in thick-film resistors, J. Phys. D 41; 025303, 2008.