Wytwarzanie nanoigieł z krzemku palladu

• Autorzy: Kowalska E. , Czerwosz E. , Radomska J. , Wronka H.

Warianty tytułu

EN

Preparation of nanoneedles from palladium silicide

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiamy dwustopniową metodę syntezy krzemku palladu w postaci nanoigieł. Nanoigły powstają podczas osadzania warstw węglowo-palladowych na podłożach krzemowych, przy wykorzystaniu technik PVD/ CVD. Nanoigły układu Pd-Si charakteryzowano metodami SEM, TEM, XRD oraz mikroanalizą rentgenowską EDX. Określono strukturę krystaliczną i budowę nanoigieł pod względem ich długości, średnicy przekroju poprzecznego oraz składu.

EN

In this paper we present two steps synthesis method of palladium silicide as nanoneedles. This type of nanoneedles is formed on silicon substrates using PVD/CVD technigues. Nanoneedles Pd-Si system were characterized by SEM, TEM, XRD as well as by microanalysis EDX. The crystallographic structure and the construction of nanoneedles in terms of their length, diameters and composition were determined.

Słowa kluczowe

PL

krzemek palladu; nanoigły; metoda PVD; metoda CVD

EN

palladium silicide; nanoneedles; PVD method; CVD method

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 8
• Strony: 34--38
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Kowalska E.

autor

Czerwosz E.

autor

Radomska J.

autor

Wronka H.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa

Bibliografia

• [1] Geng H.: Semiconductor Manufacturing Handbook - rozdział 5 - L. P. Ren, K. N. Tu Fundamentals of silicide formation on Si.
• [2] Nava F., Tu K., Borghesi A. i in.: Electrical and optical properties of silicide single crystals and thin films. Materials Science Reports, 9, 141-200, (1993).
• [3] Tanaka M., Takeguchi M., Yasuda H. i in.: In-situ observation of deposition process of Pd on clean Si surfaces by ultrahigh vacuum-transmission electron microscopy/scanning tunneling microscopy. Thin Solid Films 398-399, 374-378, (2001).
• [4] White G. E., Chen H.: An in situ observation of the growth kinetics and stress relaxation Pd2Si thin films on Si(111), J. Appl. Phys., 67, 3689, (1990).
• [5] Lee S.-W. i in.: Pd2Si assisted crystallization of amorphous silicon thin films at low temperature. J. App. Phys. 85, 7180-84, (1999).
• [6] Rubloff G. V., Ho P. S., Freeouf J. F.: Chemical bonding and reactions at the Pd2Si interface. Physical Review B, 23, 8, 4183, (1981).
• [7] Mirowski E., Leone S. R.: Enhancement in the crystalline quality of palladium silicide films: multiple versus single deposition. Journal of Crystal Growth 219, 368, (2000).
• [8] Takeguchi M. i in.: In situ UHV-TEM observation of the direct formation of Pd2Si islands on Si(111) surfaces at high temperature Applied Surface Science 159-160, 225-230, (2000).
• [9] Beshkov G. i in.: Properties of palladium silicide thin films obtained by vacuum rapid thermal annealing of r.f. sputtered Pd films or Si, Vacuum 51, 177-180, (1998).
• [10] Rocaicabarrocas P. i in.: Kinetics of formation of silicides in a-Si:H/Pd interfaces monitored by ellipsometry and kelvin probe techniques, J. Non-Crystalline Solids, 137-138, 1055, (1991).
• [11] Veuillen J. Y. i in : Reaction of palladium thin films with an Si-rich 6H- SiC(0001 )(3x3) surface. Diamond and Related Materials, 8, 352-356, (1999).
• [12] Marani R., Nava F., Roault A.: Crystal growth, characterisation and resistivity measurements of Pd2Si single crystals. J. Phys. Condens. Matter., 1, 34, 5887, (1989).
• [13] Joshi R. K. i in.: Synthesis of vertically aligned Pd2Si nanowires in microwave plasma enhanced chemical vapor deposition system, J. Phys. Chem. C, 112, 13901-13904, (2008).
• [14] patent KR 1008B3531 (B1) (The field emission with silicide nanowires and the device fabrication method).
• [15] Czerwosz E. i in.: Sposób wytwarzania nanodrutów z krzemku palladu, zgłoszenie patentowe P.396428 z dnia 26.09.2011.