Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT

• Autorzy: Paszkiewicz B. , Wośko M. , Macherzyński W. , Paszkiewicz R. , Tłaczała M.

Warianty tytułu

EN

AlGaN/GaN FAT-HEMT hydrogen sensor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Azotki są doskonałymi materiałami do wytwarzania szeregu elementów. W WEMIF PWr prowadzono badania nad zastosowaniem heterostruktur AlGaN do wytwarzania tranzystorów mikrofalowych, biosensorów i czujników gazów. W artykule przedstawiono charakterystyki tranzystorowych czujników wodoru typu AlGaN/GaN FAT-HEMT {FAT-High Electron Mobility Transistors) z bramką katalityczną Pt. Pokazano, że tego typu czujniki mogą być stosowane do detekcji wodoru w szerokim zakresie koncentracji od 0,1 ppm do 10000 ppm.

EN

Nitrides are attractive materials for numerous devices applications. The researches were carried out at WEMiF WrUT devoted to application of AlGaN/GaN heterostructures for fabrication of microwave HEMT transistors, biosensors and gas sensors. The article presents the hydrogen sensing characteristics of FAT-type AlGaN/GaN HEMT with catalytic Pd electrode. It was shown that FAT type Pt/AIGaN/GaN HEMTs have the ability to detect hydrogen in wide range of hydrogen concentration from 0.1 ppm to 10000 ppm.

Słowa kluczowe

PL

heterostruktury AlGaN/GaN; czujniki wodoru; FAT-HEMT

EN

AlGaN/GaN heterostructures; hydrogen sensors; FAT-HEMT

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 2
• Strony: 58--60
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Paszkiewicz B.

autor

Wośko M.

autor

Macherzyński W.

autor

Paszkiewicz R.

autor

Tłaczała M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Ambacher O., Foutz B., Smart J., Shealy J. R., Weimann N. G., Chu K., Murphy M., Sierakowski A. J., Schaff W. J., Estman L. F.: Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures. J. Appl. Phys., vol. 87, no. 1, (2000), pp. 334-344.
• [2] Boratyński B., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.: AlGaN/GaN heterostructure FET - Processing and parameters evaluation, Acta Physica Polonica A, vol. 116, no. 5, (2009), pp. 800-805.
• [3] Schalwig J., Müller G., Eickhoff M., Ambacher O., and Stutzmann M.: Gas sensitive GaN/AlGaN-heterostructures. Sens. Actuators B, Chem., vol. 87, no. 3, (2002), pp. 425-430.
• [4] Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Macherzyński, W., Prażmowska J., Szyszka A., Wosko M., Ramiączek-Krasowska M., Stafiniak A., Tłaczała M.: Proceedings of 13th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, EWMOVPE XIII, Ulm, Germany, 7th-10th June 2009, (2009), pp. 253-257.
• [5] Nakamura S., Takahashi N., Okumura T.: Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility-based sensors. Phys. Status Solidi C, vol. 6, no. S2, (2009), pp. S1053-S1055.
• [6] Paszkiewicz B.: Impedance spectroscopy analysis of AlGaN/GaN HFET structures. J. Cryst. Growth, vol. 230, (2001), pp. 590-594.