Wykorzystanie zaawansowanych trybów mikroskopii sił atomowych w badaniach struktur i przyrządów półprzewodnikowych

• Autorzy: Szyszka A. , Macherzyński W. , Prażmowska J. , Wośko M. , Stafiniak A. , Gryglewicz J. , Ramiączek-Krasowska M. , Paszkiewicz B. , Jankowski B. , Ściana B. , Paszkiewicz R. , Tłaczała M.

Warianty tytułu

EN

Application of advanced techniques of atomic force microscopy for semiconductor structures and devices characterization

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawione zostały wyniki charakteryzacji lokalnych właściwości detektorów MSM (Metal-Semiconductor-Metal) oraz rezystancyjnych wytworzonych w warstwach GaN, struktur tranzystorów unipolarnych wykonanych w warstwach azotku galu, cienkich warstw metali katalitycznych, heterostruktur AlAs/AIGaAs/GaAs oraz powierzchni węglika krzemu wykonanych różnymi trybami mikroskopii sił atomowych. Badania zostały przeprowadzone metodami Skaningowej Mikroskopii Potencjału Powierzchniowego SSPM (ang. Scanning Surface Potential Microscopy), Skaningowej Mikroskopii Rezystancji Rozproszonej SSRM (ang. Scanning Spreading Resistance Microscopy) oraz obrazowania fazowego.

EN

In this work characterization results of MSM (metal-semiconductor-metal) and resistive detectors fabricated in gallium nitride layers, GaN based unipolar transistors, thin catalytic metal layers, AlAs/AIGaAs/GaAs heterostructures and silicon carbide surface by various techniques of atomic force microscopy are presented. The examinations were performed by Scanning Surface Potential Microscopy (SSPM), Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) and in phase imaging mode.

Słowa kluczowe

PL

skaningowa mikroskopia potencjału powierzchniowego; skaningowa mikroskopia rezystancji rozproszonej; obrazowanie fazowe; azotek galu; arsenek galu

EN

Scanning Surface Potential Microscopy; Scanning Spreading Resistance Microscopy; phase imaging; gallium nitride; gallium arsenide

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 2
• Strony: 55--58
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Szyszka A.

autor

Macherzyński W.

autor

Prażmowska J.

autor

Wośko M.

autor

Stafiniak A.

autor

Gryglewicz J.

autor

Ramiączek-Krasowska M.

autor

Paszkiewicz B.

autor

Jankowski B.

autor

Ściana B.

autor

Paszkiewicz R.

autor

Tłaczała M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Szyszka A., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.: Observation of virtual gate effect in gallium nitrides structures. Materiały konferencyjne 16th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter. APCOM 2010, June 16-18, 2010, Mala Lucvina, Slovak Republic, 2010, pp. 21-24.
• [2] Szyszka A., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.: Surface photocurrent nonuniformities in MSM detectors fabricated in gallium nitride heteroepitaxial layers. Optica Applicata. 2009, vol. 39, nr 4, pp. 723-728.
• [3] Szyszka A., Paszkiewicz B., Macherzyński W., Paszkiewicz R., Tłaczała M.: Microscale characterization of optical and electrical parameters of UV GaN planar detectors. Journal of Electrical Engineering, 2009, vol. 60, nr 5, pp. 283-286.
• [4] Prażmowska J., Szyszka A., Paszkiewicz R., Tłaczała M.: Investigation of the influence of low-concentration hydrogen on the surface potential of thin metallic films for sensor applications. Central European Journal of Physics, 2011, vol. 9, nr 2, pp. 398-403.
• [5] Szyszka A., Ściana B., Radziewicz D., Macherzyński W., Paszkiewicz B., Tłaczała M.: Characterization of AIIIBV epitaxial layers by scanning spreading resistance microscopy. Optica Applicata, 2011, vol. 41, nr 2, pp. 281-288.