Parametry detektorów MSM wykorzystujących heterostruktury GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs

• Autorzy: Zborowska-Lindert I. , Ściana B. , Pucicki D. , Radziewicz D. , Boratyński B. , Tłaczała M.

Warianty tytułu

EN

Parameters of GaAsN/GaAs and InGaAsN/GaAs MSM photodetectors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawione zostały parametry fotodetektorów MSM wykonanych na warstwach czynnych GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs. Wszystkie warstwy czynne optycznie wykonane zostały w technologii epitaksji MOVPE. W warstwach GaAsN/GaAs struktura czynna GaAsN miała grubość 100...330 nm, a zawartość atomów azotu mieściła się w zakresie 0,85...2,2%. Struktury MQW InGaAsN/GaAs stanowiły trzy studnie InGa-AsN o grubości 15 nm i zawartości 11% indu rozdzielone barierami GaAs o grubości 30 nm. W pracy przedstawiono charakterystyki prądowo-napięciowe detektorów MSM bez i z oświetleniem, co pozwala określić podstawowe parametry wykonanych fotodetektorów. Z uzyskanych wyników widać bardzo wyraźny wpływ składu materiałowego wykonanych heterostruktur na fotoprąd i czułość wykonanych fotodetektorów MSM.

EN

In this paper the comparison of GaAsN/GaAs and InGaAsN/GaAs MSM photodetectors has been presented. All of the devices were made by MOVPE technology. The GaAsN/GaAs MSM devices were made on undoped GaAsN layers with concentration of nitrogen varied from 0.85...2.2%. The thickness of these layers was from 100...330 nm. The InGaAsN/GaAs active layer for MSM detectors consisted of triple InGaAsN MQW with 11% of indium in 15 nm thick QWs layers and 30 nm thick GaAs barrier layers. The dark and illuminated l-V characteristics of the designed devices were presented. The photoresponse characteristics have shown a strong influence of material composition on the MSM photocurrent for both GaAsN/GaAs and InGaAsN/GaAs heterostructures.

Słowa kluczowe

PL

fotodetektory MSM; GaAs; rozcieńczone azotki; epitaksja MOVPE

EN

MSM photodetector; GaAs; dilute nitrides; MOVPE epitaxy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 2
• Strony: 52--54
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Zborowska-Lindert I.

autor

Ściana B.

autor

Pucicki D.

autor

Radziewicz D.

autor

Boratyński B.

autor

Tłaczała M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Yang H-P. D., et. al.: Characteristics of MOCVD and MBE-grown InGa(N)As VCSELs. Semicond. Sci. Technol. V. 20, 2005, pp. 834-839.
• [2] Chang P. C., et. al.: Device Characteristics of the GaAs/InGaAsN/GaAs P-N-P Double Hetero-junction Bipolar Transitor. IEEE Electron Dev. Lett., Vol. 22, No. 3, March 2001, pp. 113-115.
• [3] Heroux J. B., Yang X. and Wang W. I.: GaInNAs resonant-cavity-enhanced photodetector operating at 1,3 um. Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 18, 1 Nov. 1999, pp. 2716-2718.
• [4] Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., Boratyński B., Radziewicz D., Tłaczała M., Serafińczuk J., Poloczek P., Sęk, G., Misiewicz J.: Technology and characterization of GaAsN/GaAs heterostructures for photodetector applications. Opto-electronics Rev., Vol. 16, No. 1, 2008, pp. 61-67.
• [5] Kurtz S. R., at. al.: InGaAsN solar cells with 1.0 eV band gap, lattice matched to GaAs, Appl. Phys. Lett., Vol. 74, No. 5, 1 Feb. 1999.