PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Magnetronowe rozpylanie : technika i technologia

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Magnetron sputtering : engineering and technology
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W artykule zaprezentowano wyniki badań niestandardowych technologii nanoszenia cienkich warstw metodą impulsowego rozpylania magnetronowego. Warstwy otrzymywano za pomocą oryginalnych wyrzutni magnetronowych typu WM (planarne, cylindryczne), w szczególności przystosowanych do prowadzenia procesów wysokowydajnych. Badano procesy impulsowego, magnetronowego autorozpylania oraz impulsowego, reaktywnego rozpylania.
EN
The article presents results of research on non-standard technologies for deposition of thin films using magnetron sputtering method. The layers were obtained using the original magnetron sources of WM type (planar, cylindrical), especially suited for high-efficiency processes. The pulsed self-sustained magnetron sputtering and reactive pulsed magnetron sputtering were investigated.
Słowa kluczowe
Rocznik
Strony
37--39
Opis fizyczny
Bibliogr. 12 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
  • Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Bibliografia
  • [1] Posadowski W. M.: Niekonwencjonalne układy magnetronowe do próżniowego nanoszenia cienkich warstw. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław, (2001); Posadowski W. M., Układ do wytwarzania pola magnetycznego, Politechnika Wrocławska, Patent nr 153969, zgłosz. Nr P 266309 z 15.0. (1987), opubl. 29.11.1991.
  • [2] Hosokawa N., Tsukada T., Kitahara H.: Effect of discharge current and sustained self-sputtenng. Proceedings of The 8th International Vacuum Congress, Cannes, France, 22-26 September (1960), Supplement LeVideles Couches Minces, No. 201, pp. 11-14.
  • [3] Posadowski W. M.: Sustained self sputtering of different materials using dc magnetron. Vacuum, vol.46, (1995), pp. 1017-1020.
  • [4] Posadowski W. M.: Plasma parameters of very high target power density magnetron sputtering, Thin Solid Films, 392, (2001), pp. 201-207.
  • [5] Wiatrowski A.: Medium frequency magnetron self-sputtering of coppet Vacuum, (2008), vol. 82, nr 10, pp. 1111-1114.
  • [6] Wiatrowski A., Posadowski W. M., Radzimski Z. J.: Pulsed dc self-sustained magnetron sputtering, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, (2008), vol. 26, nr 5, pp. 1277-1281.
  • [7] Posadowski W. M., Wiatrowski A.: Sposób otrzymywania warstw za pomocą impulsowego procesu rozpylania magnetronowego. Zgłoszenie patentowe nr P 382758 z 27.06. (2007).
  • [8] Posadowski W. M., Wiatrowski A., Dora J., Radzimski Z. J.: Magnetron sputtering process control by medium-frequency power supply parameter, Thin Solid Films, 516, 14, 30 May, (2008), s. 4478-4482.
  • [9] Tadaszak K., Wiatrowski A., Posadowski W. M.: Próżniowe, wysokowydajne, osadzanie cienkich warstw dielektrycznych metodą reaktywnego, impulsowego rozpylania magnetronowego - wybór punktu pracy magnetronu, Elektronika – Konstrukcje, Technologie, Zastosowania, (2011), R. 52, nr 8, ss. 90-94.
  • [10] Krówka K., Wiatrowski A., Posadowski W. M.: Magnetron sputtering modes during pulsed deposition process determined by the analysis of power supply parameter, Thin Solid Films, doi: 10.1016/ j.tsf. 2011.04.068.
  • [11] Tadaszak K., Nitsch K., Piasecki T., Posadowski W. M.: Properties of aluminium oxide thin films deposited in high effective reactive pulsed magnetron spultering process. 35th International Microelectronics and Packaging IMAPS-IEEE CPMT Poland proceedings, September 21-24, (2011), Gdańsk-Sobieszewo.
  • [12] Tadaszak K., Nitsch K., Piasecki T., Posadowski W. M.: Electrical characterization of aluminium oxide-aluminium thin film composites by impedance spectroscopy Microelectronics Reliability, Volume 51, Issue7, July(2011), pp 1225-1229.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0045-0011
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.