Teoretyczna analiza właściwości heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej

• Autorzy: Gawron W. , Jóźwikowski K. , Kopytko M.

Warianty tytułu

EN

Theoretical analysis of near-room temperature pP⁺ HgCdTe heterojunction using an advanced numerical method

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia wyniki obliczeń teoretycznych parametrów heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej wykonanych za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej. Dla porównania przedstawiono także wyniki obliczeń parametrów heterozłącza N⁺p. Wszystkie obliczenia wykonane są dla temperatury 300 K przy oświetlaniu złącza od strony obszaru silnie domieszkowanego promieniowaniem o długości fali 10,6 µm. Wykorzystano oryginalne metody i programy komputerowe opracowane w Zakładzie Fizyki Ciała Stałego.

EN

We report on the results of theoretical calculation of near-room temperature HgCdTe pP⁺ heterojunction. The calculated parameters of pP⁺ junction were compared with parameters of N⁺p junction. All the analyses were done under 300 K temperatures after illuminating the structure from a highly doped layer by the light with a wavelength of 10.6 µm. We have taken advantage of original methods of numerical simulation using computer programmes prepared at the Institute of Applied Physics.

Słowa kluczowe

PL

detektory podczerwieni; HgCdTe; heterozłącza

EN

infrared detectors; HgCdTe; heterojunctions

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 60, nr 4
• Strony: 161--176
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Gawron W.

autor

Jóźwikowski K.

autor

Kopytko M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Nowych Technologii i Chemii, Instytut Fizyki Technicznej, 00-908 Warszawa, ul. S. Kaliskiego 2,

Bibliografia

• [1] J. Piotrowski, W. Galus, M. Grudzien, Near room-temperature IR photo-detectors, Infrared Phys., 31, 1990, 1-48.
• [2] A. Rogalski, K. Adamiec, J. Rutkowski, Narrow-gap semiconductor photodiodes, SPIE Press, Bellingham, 2000.
• [3] J. Piotrowski, A. Rogalski, High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors, ed., SPIE, Bellingham, 2007.
• [4] J. Piotrowski, J. Pawluczyk, A. Piotrowski, W. Gawron, M. Romanis, K. Kłos, Uncooled MWIR and LWIR photodetectors in Poland, Opto-Electron. Rev., 18, 3, 2010, 24-33.
• [5] J. Piotrowski, A. Piotrowski, W. Gawron, Uncooled Mid-IR Photodetection, Materiały konferencyjne 4th International Symposium on Optronics in Defence and Security; OPTRO, 2010.
• [6] J. Piotrowski, W. Gawron, Extension of longwavelength IR photovoltaic detector operation to near room-temperatures, Infrared Physics & Technology, 36, 1995, 1045-1051.
• [7] W. Gawron, Metody poprawy właściwości detektorów podczerwieni pracujących bez chłodzenia kriogenicznego, rozprawa doktorska, WAT, Warszawa, 1996.
• [8] J. Piotrowski, M. Grudzień, Z, Nowak, Z. Orman, J. Pawluczyk, M. Romanis, W. Gawron, Uncooled photovoltaic Hg1-xCdxTe LWIR detectors, Proc. SPIE, 4130, 2000, 175-184.
• [9] J. Piotrowski, P. Brzozowski, K. Jóźwikowski, Stacked multijunction photodetectors of long wavelength radiation, J. Electron. Mat., 32, 2003, 672-676.
• [10] W. Gawron, J. Piotrowski, Practical near room-temperature, long-wavelength IR photovoltaic detectors, Opto-Electronics Review, 2, 1994, 91-94.
• [11] www.vigo.com.pl
• [12] J. Piotrowski, W. Gawron, Ultimate performance of infrared photodetectors and figure of merit of detector material, Infrared Physics & Technology, 38, 1997, 63-68.
• [13] K. Jóźwikowski, Badanie zjawisk fotoelektrycznych i fluktuacyjnych w półprzewodnikach o wąskiej przerwie energetycznej, rozprawa habilitacyjna.
• [14] K. Jóźwikowski, A. Rogalski, A. Jóźwikowska, Numerical modelling of fluctuation phenomena in semiconductors and detailed noise study of mid-wave infrared HgCdTe heterostructure devices, J. Electron. Mater., 31, 2002, 677-682.
• [15] K. Jóźwikowski, W. Gawron, J. Piotrowski, A. Jóźwikowska, Enhanced numerical modeling of non-cooled long-wavelength multi-junction (Cd, Hg)Te photodiodes, IEEProc. Circuits, Devices and Systems, 150, 1, 2003, 65-71.
• [16] R. Sewell, C. A. Musca, J. M. Dell, L. Faraone, K. Jóźwikowski, A. Rogalski, Minority carrier lifetime and noise in abrupt molecular-beam epitaxy-grown HgCdTe heterostructures, J. Electron. Mater., 32, 2003, 639-644.
• [17] J. Piotrowski, P. Brzozowski, K. Jóźwikowski, Stacked Multijunction Photodetectors of Long-Wavelength Radiation, J. Electron. Mater., 32, 2003, 672-676.
• [18] A. Jóźwikowska, K. Jóźwikowski, J. Rutkowski, Z. Orman, A. Rogalski, Generation-rekombination effects in high temperature HgCdTe heterostructure photodiodes, Opto-Electron. Rev., 12, 2004, 417-428.