Fabrication of through-holes in GaAs substrates for device applications

• Autorzy: Zubel I. , Kramkowska M. , Zborowska-Lindert I.

Warianty tytułu

PL

Wytwarzanie otworów przelotowych w podłożach GaAs do zastosowań w technologii elementów elektronicznych

• Konferencja: Electron Technology Conference ELTE 2010. 10 ; International Microelectronics and Packing IMAPS-CPMT. 34 ; 22-25.09.2010 ; Wrocław, Poland
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The process of via-holes fabrication in GaAs wafers was developed. Wet chemical etching both for substrate thinning and via-holes etching was employed. The solutions based on sulfuric and citric acid were tested in a wide range of compositions. The phenomena connected with the etching process like etching anisotropy and its influence on the shapes of etched holes were considered. At the end, possible applications of the new developed process were discussed.

PL

Opracowano proces wytwarzania otworów przelotowych w płytkach GaAs. Do pocieniania podłoża i do trawienia otworów zastosowano mokre trawienie chemiczne. Wykorzystano roztwory na bazie kwasu cytrynowego i siarkowego, które przetestowano w szerokim zakresie składów. Przeanalizowano zjawiska związane z procesem trawienia jak anizotropia trawienia i jej wpływ na kształty trawionych otworów. Przedyskutowano również możliwości zastosowań nowo opracowanego procesu.

Słowa kluczowe

EN

via holes; GaAs; wet chemical etching

PL

otwory przelotowe; GaAs; mokre trawienie chemiczne

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 3
• Strony: 127--130
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz.

Twórcy

autor

Zubel I.

autor

Kramkowska M.

autor

Zborowska-Lindert I.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Uchiyama H., Ohta H., Shiota T., Takubo C., Tanaka K., Mochizuki K.: Fabrication of sub-transistor via holes for small and efficient power amplifiers using highly selective GaAs/InGaP wet etching, J. Vac. Sci. Technol. B, 242, Mar/Apr 2006, pp. 664-668.
• [2] Clawson A. R.: Guide to references on III-V semiconductor chemical etching. J. Mat. Sci. and Eng.,31, 2001, pp. 1-438.
• [3] Tellier C. R., Huve G., Lebois T. G.: Micromachining of GaAs structures with acidic hydrogen peroxide solution. Experimental and theoretical 3D etching shapes. Sens. Actuat A, 127, 2006, pp. 179-193.
• [4] Panek M., Kordalski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Boratyński B.: Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego. Zeszyty Naukowe ETI Politechniki Gdańskiej, Technologie Informacyjne, 2008 t. 16, pp. 301-304.