Model of high rate reactive pulsed magnetron sputtering

• Autorzy: Tadaszak K. , Posadowski W. M.

Warianty tytułu

PL

Model wysokowydajnego reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego

• Konferencja: Electron Technology Conference ELTE 2010. 10 ; International Microelectronics and Packing IMAPS-CPMT. 34 ; 22-25.09.2010 ; Wrocław, Poland
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Aluminium oxide trhin films were deposited with high rate reactive pulsed magnetron sputtering of the aluminium target in argon and oxygen mixture. Experiments showed that properties of achieved films were comparable for conventionally sputtered layers. The main purpose was to explain behaviour of the high rate sputtering classical Berg's model. The parameters which were important for efficiency of deposition have been estimated. However it occurred that it was impossible to fully explain this unusual process phenomenon, due to simplicity of the model. There was need to define additional factors which enabled high efficiency. Presented analysis will be the foundation of future research on high rate reactive pulsed magnetron sputtering.

PL

Cienkie warstwy tlenku glinu zostały osadzone za pomocą wysokowydajnego reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego targetu glinowego w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu. Właściwości otrzymanych warstw były porównywalne z parametrami struktur cienkowarstwowych osadzanymi standardowo. Głównym celem pracy była próba wyjaśnienia zjawisk zachodzących podczas procesu wysokowydajnego rozpylania za pomocą klasycznego modelu Berga. Niestety, uproszczenia tego modelu nie pozwoliły na pełną interpretację zjawisk zachodzących podczas reaktywnego magnetronowego rozpylania dużej wydajności. Zdefiniowano dodatkowe czynniki determinujące warunki rozpylania z dużą wydajnością. Zaprezentowana analiza będzie stanowiła punkt wyjściowy podczas badań i ustalania parametrów procesu wysokowydajnego reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego.

Słowa kluczowe

EN

reactive magnetron sputtering; unbalanced magnetron; model of sputtering process

PL

reaktywne rozpylanie magnetronowe; niezbalansowany magnetron; model procesu rozpylania

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 3
• Strony: 69--71
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., wykr.

Twórcy

autor

Tadaszak K.

autor

Posadowski W. M.

• Wrocław University, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics

Bibliografia

• [1] Berg S., Nyberg T.: Fundamental understanding and modeling of reactive sputtering processes. Thin Solid Films, 476 (2005), pp. 215-230.
• [2] Dora J.: Polish Patent No. 313150, 1996.
• [3] Posadowski W. M.: Polish Patent No. 153969, 1987.
• [4] Posadowski W. M., Wiatrowski A., Dora J., Radzimski Z.: Magnetron sputtering process control by medium-frequency power supply parameter. Thin Solid Films 516 (2008), p. 4478.
• [5] Krówka K., Wiatrowski A., Posadowski W. M.: Magnetron sputtering modes during pulsed deposition process. 8th International Conference on Coatings on Glass and Plastics ICCG. Proceedings, Braunschweig, June 13-17, 2010, pp. 179-183.
• [6] Berg S., Larsson T., Nender C., Blom H-O.: Predicting thin film stoichiometry in reactive sputtering. Journal of Applied Physic, 63 (1988), pp. 887-891.
• [7] Depla D., Mahieu S.: Reactive Sputter Deposition. Springer, 2008.
• [8] Jonsson L. B., Nyberg T., Berg S.: Target compound layer formation during reactive sputtering. Journal of Vacuum Science Technology, 17 (1999), pp. 1827-1831.
• [9] Window B., Sawides N.: Unbalanced dc magnetrons as sources of high ion fluxes. J. Vac. Sci. Technol. A, 4 (3) (1986), pp. 504-508.