Etching of Si(100) and (110) substrates in KOH solutions saturated and son-saturated with isopropyl alcohol

• Autorzy: Rola K. , Zubel I. , Kramkowska M.

Warianty tytułu

PL

Trawienie podłoży Si(100) i (110) w roztworach KOH nasyconych i nienasyconych alkoholem izopropylowym

• Konferencja: Electron Technology Conference ELTE 2010. 10 ; International Microelectronics and Packing IMAPS-CPMT. 34 ; 22-25.09.2010 ; Wrocław, Poland
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The process of silicon anisotropic etching in KOH solutions saturated with isopropyl alcohol (IPA) is currently the most frequently used process in silicon micromachining. In the work, the results of etching in KOH solutions with the IPA content below saturation lewel have been presented. On the basis of literature considerations of the phenomena occurring in water-alcohol solutions and the results of performed experiments, an analysis of the mechanism of Si substrates etching in KOH+IPA solutions with different compositions has been carried out.

PL

Anizotropowe trawienia krzemu w roztworach KOH nasyconych alkoholem izopropylowym jest procesem obecnie najczęściej wykorzystywanym do wytwarzania mikrosystemów krzemowych. W pracy przedstawiono rezultaty trawienia w roztworach KOH zawierających IPA poniżej poziomu nasycenia. Na podstawie opisywanych w literaturze zjawisk obserwowanych w roztworze woda - alkohol i rezultatów przeprowadzonych eksperymentów, przedstawiono rozważania dotyczące mechanizmu trawienia podłoży krzemowych w roztworach KOH - HPA o różnych składach.

Słowa kluczowe

EN

silicon anisotropic etching; KOH; IPA; surface tension

PL

anizotropowe trawienie krzemu; KOH; IPA; napięcie powierzchniowe

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 3
• Strony: 50--53
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., wykr.

Twórcy

autor

Rola K.

autor

Zubel I.

autor

Kramkowska M.

• Wrocław University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics

Bibliografia

• [1] Zubel I., Kramkowska M.: Etch rates and morphology of silicon (h k l) surfaces etched in KOH and KOH saturated with isopropanol solutions. Sensors and Actuators A, 115 (2004) 549-556.
• [2] Yohko F. Yano: Correlation between surface and bulk structures of alcohol-water mixtures. Journal of Colloid and Interface Science, 284 (2005) 255-259.