Modeling the ballistic and tunnel source-drain currents in Silicon Nanowire MOSFETs

• Autorzy: Sawicka A. , Majkusiak B. , Numata T. , Uno S. , Milnikov G. , Mori N.

Warianty tytułu

PL

Modelowanie balistycznego i tunelowego prądu źródło-dren w nanodrutach krzemowych

• Konferencja: Electron Technology Conference ELTE 2010. 10 ; International Microelectronics and Packing IMAPS-CPMT. 34 ; 22-25.09.2010 ; Wrocław, Poland
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Nanodruty krzemowe (SiNW MOSFET) przyciągają ostatnio dużo uwagi, jako przyrządy które mogą w przyszłości zastąpić tradycyjne tranzystory krzemowe. W tej pracy zaprezentowano modelowanie numeryczne prądu żródło-dren ultra krótkich nanodrutach, pracujących w zakresie balistycznym. Wyznaczono i porównano balistyczny, tunelowy i całkowity prąd żródło-dren dla różnych polaryzacji tranzystora w szerokim zakresie długości kanału. Pokazano znaczenie efektu tunelowania w nanodrutach krzemowych i wskazano na konieczność uwzględniania efektów kwantowych w modelowaniu ultra krótkich nanodrutów krzemowych.

EN

Silicon nanowire (SiNW) MOSFETs has recently begun to attract a lot of attention as promising devices for replacing conventional MOS transistors. In this work we present numerical modeling of source-drain current in ultra scaled SiNW MOSFETs operating in the ballistic regime. We calculate and compare the ballistic and tunnel components of the source-drain current for various bias conditions in a wide range of the channel length. We prove significance of the tunneling effect in ultra short channel SiNW MOSFETs and the necessity of quantum-mechanical modeling of ultra scaled Si nanowires.

Słowa kluczowe

PL

prąd balistyczny; tunelowanie; nanodruty krzemowe; modelowanie

EN

ballistic current; tunneling; nanowire MOSFET; modelling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 3
• Strony: 36--38
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., wykr.

Twórcy

autor

Sawicka A.

autor

Majkusiak B.

autor

Numata T.

autor

Uno S.

autor

Milnikov G.

autor

Mori N.

• Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology

Bibliografia

• [1] Landauer R.: Conductance from transmission. Phys. Scr., vol. T42 (1992), pp. 110.
• [2] Natori K.: Compact modeling of nanowire MOSFETs. IEEE Trans. Electron Devices, vol. 55 (2008), pp. 2877.
• [3] Lungstrom M., Guo J.: Nanoscale Transistors. Springer 2006.