Modeling the charge trapping effect in high-K gate stacks on the tunnel current

• Autorzy: Mazurak A. , Majkusiak B.

Warianty tytułu

PL

Modelowanie wpływu pułapkowania ładunku na prąd tunelowy w warstwach bramkowych o dużej stałej dielektrycznej

• Konferencja: Electron Technology Conference ELTE 2010. 10 ; International Microelectronics and Packing IMAPS-CPMT. 34 ; 22-25.09.2010 ; Wrocław, Poland
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono dwa sposoby modelowania wpływu pułapkowania ładunku na prąd tunelowy. Aktywna elektrycznie pułapka wewnątrz stosu bramkowego jest reprezentowana przez studnię kwantową. Prawdopodobieństwo tunelowania obliczane jest z wykorzystaniem metody macierzy przejścia, uwzględniając rozpraszanie nośników wewnątrz studni kwantowej. Zaprezentowano wpływ stałej czasowej rozpraszania, geometrycznego położenia studni potencjału oraz dystrybucji przestrzennej centrów pułapkowych na prąd tunelowy. W pracy przedstawiono wyniki symulacji charakterystyk prądowo-napięciowych oraz dyskusję wpływu pułapkowania nośników na proces tunelowania.

EN

Two approaches towards charge trap modeling are presented in the work a charge trap is modeled as a quantum well. The transfer matrix method with inclusion of carrier scattering in the well is used for the tunneling probability calculation. The influence of scattering rate in the well and spatial location of the well in the insulator layer is studied.Then the effect of space distribution of oxide traps on the tunnel current is investigated. Simulated current-voltage characteristics for the two cases are presented and the effect of charge trapping on the tunneling process is discussed.

Słowa kluczowe

PL

struktura MOS; stała dielektryczna duża; modelowanie; tunelowanie

EN

MOS structures; high-K stacks; modelling; tunneling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 3
• Strony: 33--35
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., wykr.

Twórcy

autor

Mazurak A.

autor

Majkusiak B.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Majkusiak B.: Modeling the inelastic scattering effect on the resonant tunneling current. J.Comp.Elect. Vol. 6 (2007), 207-210.
• [2] Mazurak A., Walczak J., and Majkusiak B.: Modelling of Tunneling through a Three-Layer Gate Stack with/without a Quantum Well. WoDiM 2010, Bratislava, Slovakia, Jun. 28-30, 2010.