Characterization of MOS structures with ultrathin insulator layer by means of a theoretical model

• Autorzy: Majkusiak B.

Warianty tytułu

PL

Charakteryzacja struktur MOS z ultracienką warstwą izolatora z użyciem modelu teoretycznego

• Konferencja: Electron Technology Conference ELTE 2010. 10 ; International Microelectronics and Packing IMAPS-CPMT. 34 ; 22-25.09.2010 ; Wrocław, Poland
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wpływ prądu upływu tunelowego przez warstwę izolatora w strukturze metal-izolator-półprzewodnik na małosygnałową admitancję struktury jest badany z wykorzystaniem teoretycznego modelu. Wnioski są weryfikowane na podstawie doświadczalnych struktur Al-SiO₂-Si.

EN

The effect of tunnel leakage through the insulator layer in metal-insulator-semiconductor structure on its small-signal admittance is investigated by means of a theoretical model. The conclusions are reviewed on example of experimental Al-SiO₂-Si structures.

Słowa kluczowe

PL

struktura metal-izolator-półprzewodnik; charakterystyka struktury; modelowanie; tunelowanie

EN

metal-insulator-semiconductor structures; characterization; modelling; tunneling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 3
• Strony: 30--33
• Opis fizyczny: Bibliogr. 1 poz., wykr.

Twórcy

autor

Majkusiak B.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Denhoff M. W.: An accurate calculation of spreading resistance. J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 39 (2006), 1761-1765.