Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Charakteryzacja struktur MOS z ultracienką warstwą izolatora z użyciem modelu teoretycznego
Konferencja
Electron Technology Conference ELTE 2010. 10 ; International Microelectronics and Packing IMAPS-CPMT. 34 ; 22-25.09.2010 ; Wrocław, Poland
Języki publikacji
Abstrakty
Wpływ prądu upływu tunelowego przez warstwę izolatora w strukturze metal-izolator-półprzewodnik na małosygnałową admitancję struktury jest badany z wykorzystaniem teoretycznego modelu. Wnioski są weryfikowane na podstawie doświadczalnych struktur Al-SiO2-Si.
The effect of tunnel leakage through the insulator layer in metal-insulator-semiconductor structure on its small-signal admittance is investigated by means of a theoretical model. The conclusions are reviewed on example of experimental Al-SiO2-Si structures.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
30--33
Opis fizyczny
Bibliogr. 1 poz., wykr.
Twórcy
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
Bibliografia
- [1] Denhoff M. W.: An accurate calculation of spreading resistance. J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 39 (2006), 1761-1765.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0043-0007