Thermal stability of SiC MOS transistors

• Autorzy: Stepowicz W. J.

Warianty tytułu

EN

Stabilność termiczna tranzystorów MOS z węglika krzemu

• Konferencja: Electron Technology Conference ELTE 2010. 10 ; International Microelectronics and Packing IMAPS-CPMT. 34 ; 22-25.09.2010 ; Wrocław, Poland
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Węglik krzemu (SiC) jest obecnie intensywnie badanym materiałem półprzewodnikowym przeznaczonym do wytwarzania elementów pracujących w wysokich temperaturach, w zakresie dużych częstotliwości oraz dużych mocy. Na rynku są już dostępne takie elementy z tego półprzewodnika jak diody Schottky'ego, diody pin, tranzystory bipolarne, tranzystory MESFET oraz MOSFET. Ograniczenia zakresu bezpiecznej pracy tranzystorów MOS z SiC mają, między innymi, charakter termiczny wynikający z termicznej stabilności tych elementów.

EN

Silicon carbide (SiC) is currently tested and used as a semiconductor destined to design devices operating in high temperature, high power and high frequency regions. Nowadays some SiC devices are available on the market; there are, for example, Schottky and pin diodes. BJTs, MESFETs and recently MOSFET transistors as well. Some limitations of the safe operation area of SiC devices are discussed, and among them the thermal limitation resulting from thermal stability should be taken into account.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; tranzystory MOS; stabilność termiczna

EN

silicon carbide; MOS transistors; thermal stability

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 3
• Strony: 21--23
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Stepowicz W. J.

• Gdynia Martime University, Department of Marine Electronics, Gdynia

Bibliografia

• [1] Sheng K.: Maximum junction temperatures of SiC power devices. IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 56, no. 2, pp. 337-342, 2009.
• [2] Stepowicz W. J.: Power losses and thermal stability of MOS transistor operating as switch. Proceedings of XVII International Conference on Fundamentals of Electrotechnics and Circuit Theory, Gliwice-Ustroń, pp. 401-406, 1994, in Polish.
• [3] Stepowicz W. J.: Relations between thermal stability and non-isothermal dc characteristics for semiconductor devices. Bulletin de l'Academie Polonaisedes Sciences, vol. XXVII, no. 10-11, pp. 75-83, 1979.
• [4] Sharma D., et al: Negative resistance in MOS devices. IEEE Journal of Solid-State Circuits, SC-13, pp. 378-380, 1978.