Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs

• Autorzy: Barańska A. , Kosiel K. , Kubacka-Traczyk J. , Bugajski M. , Pasternak I. , Płociński T. , Kurzydłowski K.

Warianty tytułu

EN

Interfacial morphology in multilayer, periodic AlGaAs/GaAs heterostructures

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia wyniki badań morfologii powierzchni międzyfazowych heterostruktur epitaksjalnych AlGaAs/GaAs. Struktury zostały wykonane metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Charakteryzację struktur przeprowadzono stosując mikroskopię sił atomowych (AFM) oraz wysokorozdzielczą transmisyjną mikroskopię elektronową (HRTEM). Badano warstwy GaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs oraz wielowarstwowe struktury periodyczne AlGaAs/GaAs, osadzane na podłożach o orientacji (100).

EN

The paper presents some results of investigation of interfacial morphology in AlGaAs/GaAs epitaxial heterostructures. The structures were grown by molecular beam epitaxy (MBE). Their characterisation was performed by atomie force microscopy (AFM) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The simple GaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs as well as multilayer, periodic AlGaAs/GaAs heterostructures deposited on (100) GaAs substrates were studied.

Słowa kluczowe

PL

morfologia powierzchni międzyfazowych AlGaAs/GaAs; lasery kaskadowe; epitaksja z wiązek molekularnych; MBE; transmisyjna mikroskopia elektronowa; TEM; mikroskopia sił atomowych; AFM

EN

AlGaAs/GaAs interface morphology; high-resolution transmission electron microscopy; HRTEM; molecular beam epitaxy; MBE; atomic force microscopy; AFM

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 10
• Strony: 112--115
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Barańska A.

autor

Kosiel K.

autor

Kubacka-Traczyk J.

autor

Bugajski M.

autor

Pasternak I.

autor

Płociński T.

autor

Kurzydłowski K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Salvador A., Morkoc H.: Properties of III-V Quantum Wells and Supperlaticess: Molecular beam epitaxial growth and impurity energy levels of GaAs based quantum wells and superlattices, (1995).
• [2] Petroff P.M., Gossarad A.C., Wiegmann W.: Structure of AlGa- GaAs interfaces on (100) vicinal surface by molecular beam epitazy. Appl. Phys. Lett., vol.45, pp. 620-622, (1984).
• [3] Khurgin J. B., Dikmelik Y., P. Q. Liu, A. J. Hoffman, M.D. Escarra, K.J. Franz, C. F.Gmachl: Role of interface roughness in the transport and lasing characteristics of quantumcascade lasers. Applied Physics Letters, vol. 94, p. 091101, (2009).
• [4] Kaspi R.: Properties of Galium Arsenide: Introduction to epitaxy. EMIS Datareviews Series from INSPEC.
• [5] Kosiel K., Szerling A., Kubacka-Traczyk J., Karbownik P., Pruszyńska-Karbownik E., Bugajski M.: MolecularBeam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers. Acta Physica Polonica A, vol. 116, p. 806.