Heterostruktury w niechłodzonych detektorach podczerwieni

• Autorzy: Gawron W. , Rogalski A. , Madejczyk P. , Pawluczyk J. , Piotrowski J. , Piotrowska A.

Warianty tytułu

EN

Uncooled infrared heterostucture photodetectors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe to jeden z niewielu produktów optoelektronicznych produkowanych obecnie w Polsce i eksportowanych do wielu krajów świata. Przyrządy te znajdują zastosowania praktyczne w nowoczesnej aparaturze naukowej i medycznej, w przemyśle, ochronie środowiska naturalnego, technice wojskowej. Artykuł prezentuje obecny stan rozwoju niechłodzonych detektorów podczerwieni w Polsce.

EN

Uncooled infrared photodetectors from HgCdTe are one of few optoelectronic products manufactured currently in Poland and exported to many countries worldwide. The devices have found important applications for scientific and medical instruments, in industry, environment protection, and military technique. The paper presents the state-of-art in the field of uncooled photodetectors from HgCdTe in Poland.

Słowa kluczowe

PL

heterostruktury; fotodetektory; niechłodzone detektory podczerwieni; HgCdTe; MOCVD

EN

heterostuctures; photodetectors; uncooled infrared photodetectors; MCT; MOCVD

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 10
• Strony: 106--109
• Opis fizyczny: Bibliogr. 25 poz., wykr.

Twórcy

autor

Gawron W.

autor

Rogalski A.

autor

Madejczyk P.

autor

Pawluczyk J.

autor

Piotrowski J.

autor

Piotrowska A.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Piotrowski J.: Hg1-xCdxTe Infrared Photodetectors. In Infrared Photodetectors, 391-494, SPIE, Bellingham Ed. A. Rogalski, 1995.
• [2] Rogalski A.: HgCdTe infrared detector material: history, status and outlook. Rep. Prog. Phys. 68, pp. 2267-2336, 2005.
• [3] Piotrowski J., Piotrowski A.: Uncooled infrared photodetectors in Poland. Proc. SPIE 5957, pp. 117-128, 2005.
• [4] Piotrowski J.: A new method of obtaining CdxHg1-xTe thin films. Electron Technology, 5, pp. 87-89, 1972.
• [5] Igras E., Jeżykowski R., PersakT., Piotrowski J., Nowak Z.: Epitaxial CdxHg1-xTe layers as infrared detectors. Proc 6th Int. Symp. on Photon Detectors 221, Budapest, pp. 236, 1974.
• [6] Piotrowski J., Galus W., Grudzień M.: Near roomtemperature IR photodetectors. Infrared Phys. 31, pp. 1-48, 1990.
• [7] Piotrowski J., Rogalski A.: High Operation Temperature Photodetectors. SPIE, Bellingham, 2007.
• [8] http://www.viao.com.Dl
• [9] Piotrowski A., W. Gawron, K. Klos, J. Pawluczyk, J. Piotrowski, P. Madejczyk, A. Rogalski: Improvements in MOCVD growth of Hg1-xCdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors* Proc. SPIE 5957, pp. 108-116, 2005.
• [10] Piotrowski A., P. Madejczyk, W. Gawron, K. Kłos, J. Pawluczyk, M. Grudzień, J. Piotrowski, A. Rogalski: Recent progress in MOCVD growth of Hg1-xCdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Proc. SPIE, 5957, pp. 273-284, 2005.
• [11] Piotrowski A., K. Kłos, W. Gawron, J. Pawluczyk, Z. Orman, J. Piotrowski: Uncooled or minimally cooled 10 pm photodetectors with subnanosecond response time. Proc. SPIE, 6542, pp. 0277786X, 2007.
• [12] Madejczyk P., A. Piotrowski, K. Kłos, W. Gawron, A. Rogalski, J. Rutkowski, W. Mróz: Surface smoothness improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD. Bui. Pol. Ac.:Tech., Vol. 57, No. 2, pp. 139-146, 2009.
• [13] Gawron W., A. Piotrowski, K. Kłos, Z. Orman, J. Pawluczyk, D. Stanaszek, A. Kębłowski, M. Pędzińska, J. Piotrowski: Optymalizacja epitaksji i doskonalenie architektury detektorów podczerwieni z HgCdTe. Elektronika, 5, pp. 61-66, 2009.
• [14] Gawron W., P. Madejczyk, A. Rogalski, K. Kłos: Optymalizacja technologii MOCVD pod kątem poprawy morfologii powierzchni warstw HgCdTe. Elektronika, 5, pp. 67-72, 2009.
• [15] Piotrowski A., J. Piotrowski, W. Gawron, J. Pawluczyk, M. Pedzinska: Extension of spectral range of Peltier cooled photodetectors to 16 pm. Proc. SPIE, 7298, pp. 729824, 2009; DOI: 10.1117/12.829933.
• [16] Jóźwikowski K., J. Piotrowski, W. Gawron, A. Rogalski, A. Piotrowski, J. Pawluczyk, A. Jóźwikowska, J. Rutkowski, M. Kopytko: Generation-Recombination Effect in High-Temperature HgCdTe Heterostructure Nonequilibrium Photodiodes. Journal of Electronic Materials, 2009; DOI: 10.1007/s11664-009-0752-0.
• [17] Madejczyk P., A. Piotrowski, W. Gawron, K. Kłos, A. Rogalski, J. Rutkowski: Morphology issues of HgCdTe samples grown by MOCVD. Proc. SPIE, 7298, pp. 729825, 2009; DOI: 10.1117/12.823938.
• [18] Stanaszek D., J. Piotrowski, A. Piotrowski, W. Gawron, Z. Orman, R. Paliwoda, M. Brudnowski, J. Pawluczyk, M. Pedzińska: Mid and long infrared detection modules for picosecond range measurements. Proc. SPIE, 7482, pp. 74820 M-74820 M-11, 2009; DOI: 10.1117/12.835963.
• [19] Piotrowski A., J. Piotrowski, W. Gawron, J. Pawluczyk, M. Pedzinska: Extension of Usable Spectral Range of Peltier Cooled Photodetectors”, Acta Physica Polonica A, 116, pp. 52-55, 2009.
• [20] Rogalski A.: HgTe-based photodetectors in Poland. Proc. SPIE, 7298, pp. 72982Q-72982Q-11, 2009; DOI:1Q.1117/12.819786.
• [21] Kłos K., A. Piotrowski, W. Gawron, J. Piotrowski: Insight into precursor kinetics using an IR gas analyzer. Opto-Electron. Rev. 18(1), pp. 95-101, 2010; DOI: 10.2478/s11772-009-0025-8.
• [22] Piotrowski J., A. Piotrowski, W. Gawron: Uncooled Mid-IR Photodetection. Materiały konferencyjne 4th International Symposium on Optronics in Defence and Security; OPTRO 2010.
• [23] Kopytko M., K. Jóźwikowski, A. Rogalski, A. Jóźwikowska: High frequency response of near-room temperature LWIR HgCdTe heterostructure photodiodes, przyjęte do druku w Opto-Electron. Rev.
• [24] Madejczyk P., A. Piotrowski, K. Kłos, W. Gawron, J. Rutkowski, A. Rogalski: Acceptor doping control in MOCVD grown HgCdTe layers, przyjęte do druku w Opto-Electron. Rev.
• [25] Rogalski A.: History of HgTe-based photodetectors in Poland. Przyjęte do druku w Opto-Electron. Rev.