Problemy epitaksji antymonków grupy III-V

• Autorzy: Jasik A. , Regiński K. , Sankowska I. , Kubacka-Traczyk J. , Jakieła R. , Kaniewski J.

Warianty tytułu

EN

Epitaxial problems of Sb based III-V compounds

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki dotyczące optymalizacji technologii epitaksji z wiązek molekularnych związków antymonkowych oraz supersieci drugiego rodzaju. Kluczowym w procesie wzrostu warstw GaSb były dwa etapy: wygrzewanie podłoża poprzedzające wzrost oraz studzenie struktury po zakończonym wzroście. Istotnym problemem okazało się zanieczyszczanie warstw antymonkowych arsenem. W wyniku badań wpływu obszaru międzyfazowego na jakość SL II rodzaju otrzymano krzywą kalibracyjną, która pozwala uzyskać SL 10 ML InAs/10 ML GaSb dopasowaną sieciowo do podłoża GaSb.

EN

We present the results of the growth optimization of both GaSb and related compounds and type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy. The key issues in the epitaxial growth of GaSb layers were an annealing of a substrate before growth and post-growth cooling of a structure. A crucial problem of GaSb layer growth is its arsenic contamination. We have investigated the influence of interface type on the ąuality of type-II SL. We received a calibration curve, which allows to obtain the lattice matched of 10 ml InAs/10 ML GaSb superlattice.

Słowa kluczowe

PL

MBE; antymonki; AFM; SL II rodzaju; Al0.5 GaAs0.04 Sb

EN

MBE; GaSb; AFM; type II SL; Al0.5 GaAs0.04 Sb

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 10
• Strony: 90--92
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Jasik A.

autor

Regiński K.

autor

Sankowska I.

autor

Kubacka-Traczyk J.

autor

Jakieła R.

autor

Kaniewski J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Nouaoura M., F.W.O.Da Silva, N. Bertru, M. Rouanet, A.Tahraoui, W. Oueinl, J. Bonnet, L. Lassabatere: Modification of GaSb(100) surface induced by annealing under vacuum and under Sb4 and As4 flux. J.Crystal Growth 172 (1997) 37-43.
• [2] Rouillard Y., B. Lambert, Y. Toudic, M. Baudet, M. Gauneau: On the use od dimeric antimony in molecular beam epitaxy. J.Crystal Growth 156(1995) 30-38.
• [3] Bocchi C., A. Bosacchi, C. Ferrari, S. Franchi, R Franzosi, R. Magnanini, L. Nasi: Determination of lattice parameters in the epitaxial AlSb/GaSb system by high resolution X-ray diffraction. J.Crystal Growth 165 (1996) 8-14.
• [4] Selvig E., B.O. Fimland, T. Skauli, R. Haakenaasen: Calibration of the arsenic mole fraction in MBE grown GaAs Sb and Al Ga, As Sb, (y<0.2). J.Crystal Growth 227-228 (2001) 562-565.
• [5] Haugan] H.J., F. Szmulowicz, G.J. Brown, K. Mahalingam: Optimization of mid-infrared InAs/GaSb type-ll superlattices. Applied Physics Letters 84(26) (2004) 5410-5412.