Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

• Autorzy: Kaniewski J. , Gawron W.

Warianty tytułu

EN

Infrared detectors based on InAs/Ga-InSb type II superlattice

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Supersieci ze związków InAs/GaInSb krystalizowane na podłożu z GaSb umożliwiają wytwarzanie detektorów podczerwieni pracujących w zakresie widmowym 3...25 µm. Supersieci te stanowią atrakcyjną alternatywę dla związków HgCdTe. Technologia otrzymywania supersieci InAs/GaInSb jest we wstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z przygotowaniem podłoży do epitaksji oraz z otrzymywaniem skokowych obszarów międzyfazowych w supersieciach. Odrębne zagadnienia dotyczą technologii struktur, prowadzącej do wykonania detektorów oraz ich pasywacji.

EN

InAs/GaInSb based superlattices grown on GaSb substrates can be used for fabrication of infrared detectors operating in 3...25 µm spectral range. The superlattices are attractive alternative for HgCdTe compounds. Technology of InAs/GaInSb superlattices is far to be well established. Main difficulties are related to wafer preparation before eptiaxy and superlattice interface quality. Processing, passivation and assembling of detectors are permanently developed.

Słowa kluczowe

PL

detektory podczerwieni; supersieć; InAs/GaInSb

EN

infrared detector; superlattice; InAs/GaInSb

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 10
• Strony: 87--89
• Opis fizyczny: Bibliogr. 19 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kaniewski J.

autor

Gawron W.

• Instytut Technologii Elektronowej, Centrum Nanofotoniki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Rogalski A., Martyniuk R: Infared Phys. Technol. 48, 39, 2006.
• [2] Mohseni H., Y. Wei, M. Razeghi: Proc. SPIE 4288, 191,2001.
• [3] Cabanski W., Eberhardt K., W. Rode, J. Wendler, J. Ziegler, J. Flelßner, F. Fuchs, R. Rehm, J. Schmitz, H. Schneider, and M. Walther: 3rd gen focal plane array IR detection modules and applications. Proc. SPIE 5406, pp. 184-192, 2005.
• [4] Rehm R., M. Walther, J. Schmitz, J. Fleißner, F. Fuchs, W. Cabanski, J. Ziegler: lnAs/(Galn)Sb short-period superlattices for focal plane arrays. Proc. SPIE 5783, pp. 123-130, 2005.
• [5] Rehm R., M. Walther, J. Schmitz, J. Fleiftner, F. Fuchs, J. Ziegler, W. Cabanski: InAs/GaSb superlattice focal plane arrays for hiqh-resolution thermal imaging. Opto-Electron. Rev. 14, pp. 283-296, 2006.
• [6] Rogalski A., Martyniuk R: InAs/GalnSb superlattices as a promising material system for third generation infrared detectors. Infrared Physics & Technol. 48, pp. 39-52, 2006.
• [7] Aifer E. H., J. G. Tischler, J. H. Warner, I. Vurgaftman, W. W. Bewley, J. R. Meyer, C. L. Canedy, E. M. Jackson: W-Structured type-ll superlattice long-wave infrared photodiodes with high quantum efficiency. Appl. Phys. Lett. 89, 053510, 2006.
• [8] Nguyen B.-M., D. Hoffman, P-Y. Delaunay, M. Razeghi: Dark current suppression in type II InAs/GaSb superlattice long wavelength infrared photodiodes with M-structure barrier. Appl. Phys. Lett. 91, 163511,2007.
• [9] Delaunay P.-Y., B. M. Nguyen, D. Hoffman, M. Razeghi: High- performance focal plane array based on InAs-GaSb superlattices with a 10-pm cutoff wavelength. IEEE J. Quant. Electron. 44, pp. 462-467, 2008.
• [10] Canedy C. L., H. Aifer, I. Vurgaftman, J. G. Tischler, J. R. Meyer, J. H. Warner, E. M. Jackson: Antimonide type-ll W photodiodes with long-wave infrared R0A comparable to HgCdTe. J. Electron. Mater. 36, pp. 852-856, 2007.
• [11] Rogalski A.: New material systems for third generation infrared photodetectors. Opto-Electron. Rev. 16, pp. 458-482, 2008.
• [12] Gawron W., Rogalski A.: Detektory podczerwieni z supersieci II rodzaju układu InAs/GalnSb. Biuletyn WAT, LVIII, 4, pp. 7-16, 2009.
• [13] http://www.viao.com.Dl
• [14] http://cad.eecs.northwestern.edu/research/tvpe2.PhD
• [15] Rogalski A.: Competitive technologies for third generation infrared photon detectors. Opto-Electron. Rev. 14, pp. 87-101, 2006.
• [16] Rogalski A.: Material consideration for third generation infrared photon detectors. Infrared Phys.& Technol. 50, pp. 240-252, 2007.
• [17] Piotrowski J., Rogalski A.: High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors. SPIE Press, Bellingham, 2007.
• [18] Rogalski A., J. Antoszewski, L. Faraone: Third-generation infrared photodetector arrays. J. Appl. Phys. 105, 15 May 2009.
• [19] Gawron W., Rogalski A.: Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb. Elektronika, 5, pp. 58-60, 2009.