Krzemowe nanostruktury dla ogniw słonecznych

• Autorzy: Lipiński M.

Warianty tytułu

EN

Silicon nanostructures for silicon solar cells

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedmiotem pracy jest supersieć kwantowa utworzona z krzemowych kropek kwantowych w zastosowaniu dla ogniw słonecznych trzeciej generacji. Osadzono wielowarstwowe struktury azotku krzemu SiNx przy użyciu techniki PECVD. Krzemowe kropki kwantowe zostały wytrącone w warstwach SiNx z nadmiarem krzemu w wyniku wysokotemperaturowego procesu. Obrazy uzyskane przy użyciu wysokorozdzielczego elektronowego mikroskopu elektronowego (HRTEM) pokazują krystaliczną strukturę krzemowych kropek kwantowych.

EN

The paper deals with silicon quantum dots superlatice for third-generation solar cells application. The multilayer structures of silicon nitride were deposited by PECVD method. The silicon quantum dots were precipitated from Si-rich layers SiNx due to high temperature annealing process. High resolution transmission electron microscope (HRTEM) images of cross sectional vies show the crystal structure of the silicon quantum dots.

Słowa kluczowe

PL

ogniwa słoneczne trzeciej generacji; krzemowe kropki kwantowe; super sieć kwantowa

EN

third-generation silicon solar; silicon quantum dots

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 5
• Strony: 92--95
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wykr.

Twórcy

autor

Lipiński M.

• Polska Akademia Nauk, Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej, Kraków

Bibliografia

• [1] Green M. A.: Third generation Photovoltaics: Advanced Solar Electricity Generation. (Springer-Verlag, Berlin 2003).
• [2] Zacharias et al.: Size-controlled highly luminescent silicon nanocrystals: A SiO/SiO2 superlatice approach. Applied Physics Letters, 80, (2002) 661-663.
• [3] Green M. A.: Recent developments and future prospects for third generation and other advanced cells. IEEE 2006, 15-19.
• [4] Coniber G.: Third-generation photovoltaics. Materials Today 10, no. 11, 2007,42-50.
• [5] Cho E.-C., Green M. A., Conibeer G.,et al.: Quantum Dots in a Dielectric Matrix for All-Silicon Tandem Solar Cells. Hindwai Publishing Corporation, Advances in Opto-Electronics 2007, 1-11.
• [6] Luque A., Marti A.: Increasing the Efficiency of Ideal Solar Cells by Photon Induced Transitions at Intermediate Levels. Phys. Rev. Lett. 78 (1997) 5014-5017.
• [7] Scardera G., Puzzer T., Perez-Wurfl I., Conibeer G.: The effect of annealing temperature on the photoluminescence from silicon nitride multilayer structures. Journal of Crystal Growth 310 (2008 360-3684).
• [8] Cho Y. H., Green M. A. Cho E.-C. Huang Y., Trupke T.: Silicon Quantum Dots in SiNx Matrix For Third Generation Photovoltaic. 20th European Photovooltaic Solar Energy Conference, Barcelona, 2005, 47-50.