Krzemowe struktury epitaksjalne dla krawędziowych ogniw słonecznych

• Autorzy: Sarnecki J. , Kozłowski R. , Teodorczyk M. , Gawlik G. , Jeremiasz O. , Lipiński D. , Brzozowski A. , Krzyżak K.

Warianty tytułu

EN

Silicon epitaxial structures for edge illuminated solar cells

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono technologię wytwarzania krzemowej struktury planarnej ze złączem p-n przeznaczonej do konstrukcji paskowego ogniwa słonecznego oświetlanego krawędziowo, współpracującego z luminescencyjnym koncentratorem słonecznym. Planarną strukturę krzemową ogniwa wykonano metodą epitaksji z fazy gazowej. Omówiono kolejne operacje technologiczne służące otrzymaniu ogniw krawędziowych. Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur epitaksjalnych i paskowych ogniw krawędziowych.

EN

The presented work reports on epitaxialy grown silicon structures with p-n junction designed for fabrication an edge illuminated solar cells. In this kind of photovoltaic devices sun-light illuminates directly a p-n junction through the edge of the structure. The edge illuminated PV cell can cooperate with a luminescent solar concentrator consisted of a polymer foil doped with a luminescent material. We have proposed a new concept of edge illuminated solar cells based on silicon epitaxial technique. The technological factors affecting the cells I-V characteristics and efficiency are discussed.

Słowa kluczowe

PL

krawędziowe ogniwo słoneczne; epitaksja krzemu

EN

edge illuminated solar cell; silicon epitaxy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 5
• Strony: 65--68
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Sarnecki J.

autor

Kozłowski R.

autor

Teodorczyk M.

autor

Gawlik G.

autor

Jeremiasz O.

autor

Lipiński D.

autor

Brzozowski A.

autor

Krzyżak K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Sater B. I., Brandhorst H. W., Riley T. J., Hart R. E.: The multiple junction edge illuminated solar cells in 10th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, pp. 188-193, 1973.
• [2] Soukup R. J.: The lensed high-voltage vertical multijunction solar cell. J. of Applied Physics, 48, pp. 440-441, 1977.
• [4] Hu C., Carney J. K. and Frank R. I.: New analysis of a high-voltage vertical multijunctio solar cell J. of Applied Physics, 48, pp. 442-444, 1977.
• [3] Sater B. I., Goradia C.: The high intensity solar cell - key to low cost photovoltaic power. in 11th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, pp. 356-363, 1975.
• [4] Sater B. I., Sater N. D.: High voltage silicon VMJ solar cells for up to 1000 suns intensities in 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, pp. 1019-1022, 2002.
• [5] Rafat N. H.: A simple analytical treatment of edge-illuminated VMJ silicon solar cells. Solar energy, 80, pp. 1588-1599, 2006.