Badania nad możliwościami jednorodnego domieszkowania warstwy emiterowej struktury fotowoltaicznej w niskiej temperaturze procesu dyfuzji

• Autorzy: Filipowski W. , Waczyński K. , Wróbel E. , Drabczyk K.

Warianty tytułu

EN

Research on feasibility of homogenous emitter layer doping of photovoltaic structure at low temperature of diffusion

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Ogniwa słoneczne należą do przyrządów półprzewodnikowych o bardzo dużej powierzchni. Podczas wytwarzania struktur o tak dużej powierzchni metodą domieszkowania dyfuzyjnego pojawia się problem jej jednorodności. W artykule przedstawiono wyniki badań jednorodności warstwy emiterowej pod kątem rezystancji powierzchniowej. Dokonano porównania jednorodności warstw wytworzonych z wykorzystaniem komercyjnej pasty P101 firmy Soltech i warstw wytworzonych z wykorzystaniem szkliw domieszkowych preparowanych w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej.

EN

Solar cells are semiconductor devices with very large surface area. During production of structures with such a large area by the diffusive doping method raises the problem of homogeneity. This article presents the results of studies on emitter layer homogeneity in terms of surface resistance. A comparison of the homogeneity of layers was carried out using commercial P101 (Soltech) paste and layers produced using spin on glasses prepared in the Institute of Electronics, Silesian University of Technology.

Słowa kluczowe

PL

ogniwo słoneczne; warstwa emiterowa; domieszkowanie; rezystancja powierzchniowa; szkliwa domieszkowe

EN

solar cell; emitter layer; doping; sheet resistance; phosphosilicate glass

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 5
• Strony: 60--62
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Filipowski W.

autor

Waczyński K.

autor

Wróbel E.

autor

Drabczyk K.

• Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, Gliwice

Bibliografia

• [1] Kończak S. i inni: Sposób wytwarzania rozwirowywanego źródła arsenu albo fosforu do dyfuzji planarnej w krzemie. Patent PRL nr 151167, Warszawa 1991.
• [2] Waczyński K., KrompiecS., Matysek-Majewska D.: Badania nad zastosowaniem szkliw domieszkowanych borem i fosforem w technologii półprzewodników krzemowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, Chemia, z. 129, Gliwice 1993.
• [3] Filipowski W., Waczyński K., Drabczyk K.: Research on the preparation of spin-on glass solutions enabling the fabrication of highly doped silicon diffusion layers. XXX International Conference of IMAPS Poland Chapter, Kraków 2006.
• [4] Panek P., Lipiński M., Ciach R., Drabczyk K., Bielańska E.: The infrared processing in multicrystalline silicon solar cell low-cost technology. Solar Energy Materials & Solar Cells, Volume 76, Issue 4, Elsevier 2003.