Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SIC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT

• Autorzy: Caban P. , Strupiński W. , Szmidt J.

Warianty tytułu

EN

AlGaN/AlN/GaN heterostructures grown on 4H-SIC substrates by LP MOVPE for HEMT technology applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono podstawowe problemy technologiczne związane z otrzymywaniem metodą LP MOVPE warstw heteroepitaksjalnych azotku galu na podłożach z węglika krzemu. Przedstawiono wyniki charakteryzacji buforowych warstw epitaksjalnych GaN na SiC otrzymywanych przy różnych ciśnieniach. Przydatność opracowanej technologii krystalizacji bufora GaN zweryfikowano poprzez wykonanie pełnej heterostruktury AlGaN/AlN/GaN/SiC wykorzystanej do wytwarzania tranzystorów HEMT. Przedstawiono rezultaty pomiarów parametrów pracy przyrządów.

EN

The main aspects of LP MOVPE GaN on SiC substrates were discussed. The influence of GaN growth pressure on crystal quality and surface morphology of GaN layers was investigated by atomic force microscopy (AFM) and high resolution x-ray diffraction (HRXRD). The HEMT structures based on AlGaN/AlN/GaN heterostructure were deposited. The device was fabricated and characterized.

Słowa kluczowe

PL

HEMT; azotek galu; węglik krzemu; MOVPE

EN

HEMT; gallium nitride; silicon carbide; MOVPE

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 3
• Strony: 145--149
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Caban P.

autor

Strupiński W.

autor

Szmidt J.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Boeykens S., Leys M. R., Germain M., Belmans R., Borghs G.: J. Crystal Growth 272 (2004) 312.
• [2] Moran B., Wu F., Romanov A. E., Mishra U. K., Denbaars S. P., Speck J. S.: J. Crystal Growth 273 (2004) 38.
• [3] Caban P., Kosciewicz K., Strupinski W., Wojcik M., Gaca J., Szmidt J., J. Ozturk J., Ozbay E.: Journal of Crystal Growth 310 (2008) 4876-4879.
• [4] Kościewicz K., Tymicki E., Grasza K.: SiC - materiał dla elektroniki. Elektronika, nr 9/2006.
• [5] Caban P., Rudziński M., Strupiński W., Szmidt J.: Wpływ polarności podłoży SiC na wzrost GaN otrzymanego metodą LP MOVPE. VIII Krajowa Konferencja Elektroniki, 07-10.06.2009.
• [6] Shen L., Heikman S., Moran B., Coffie R., Zhang N. Q., Buttari D., Smorchkova I. P., Keller S., DenBaars S. P., Mishra U. K.: IEEE Electron Device Lett. 22, 457 (2001).
• [7] Caban P., Strupiński W., Szmidt J.: Azotek galu na homoepitaksjalnej warstwie SiC - aplikacja w strukturze HEMT z nanometrową barierą AlGaN. P. III Krajowa Konferencja Nanotechnologii NANO 2009, Warszawa 22-26 czerwca 2009.
• [8] High-Speed Semiconductor Devices, A Wiley-Interscience Publication, John Wiley and Sons, Inc. New York (1990).