PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Charakterystyki wzbudzeniowo-emisyjne materiałów luminescencyjnych domieszkowanych cerem i chromem

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Excitation-emission characteristics of phosphors doped with cerium and chromium ions
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań materiałów luminescencyjnych, na osnowie granatu itrowo-glinowego, domieszkowanych jonami ceru i chromu, przeznaczonych do nowoczesnych półprzewodnikowych źródeł światła białego. Przeprowadzono pomiary charakterystyk wzbudzeniowo-emisyjnych luminoforów występujących w postaci krystalicznej oraz materiału ceramicznego. Analizowano wpływ struktury krystalicznej oraz poziomu domieszkowania na charakterystyki emisyjne potencjalnych luminoforów.
EN
As a class of inorganic phosphors, yttrium aluminium garnet (Y₃Al₅O₁₂,YAG) has received considerable attention because of its applications. YAG is commonly used as a host material in various solid state lasers, cathode ray tubes and as a scintillator. In this article we focus on luminescence of synthetic crystalline and ceramic phosphors of the garnet group for white light emitting diodes (LEDs). The article places importance on methods of white light receiving. This sheds light on interesting trends connected with solid state lightening issues. Exciting emitting spectra of chromium, magnesium and rare earth elements doped (active ions) YAG were gathered in order to compare results and find major differences between particular samples. Moreover, we have analysed influence of crystalline structure and doping's level on emitting characteristics of potential phosphors for semiconductor sources of white light.
Rocznik
Strony
17--31
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
  • Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Optoelektroniki, 00-908 Warszawa, ul. S. Kaliskiego 2
Bibliografia
  • [1] Z. Mierczyk (red. nauk.), Nowoczesne technologie dla budownictwa, Wyd. WAT, Warszawa, 2007.
  • [2] S. Nakamura, GaN based light emitting devices and crystal growth, 17th International Conference on Photonics in Europe, TFIII1-1, 2005.
  • [3] http://www.netl.doe.gov/ssl/usingLeds/index.htm
  • [4] A. Zakauskas, M. S. Shur, R. Gaska, Introduction to Solid State Lightening, John Wiley and Sons, Inc., 2002, 75-81.
  • [5] E. F. Shubert, Light Emitting Diodes, Cambrige Univ. Press, 2006.
  • [6] Z. Mierczyk, M. Włodarski, M. Kwaśny, J. Mierczyk, Charakterystyki wzbudzeniowo-emisyjne luminoforów do półprzewodnikowych źródeł światła białego, Komunikaty 8. Sympozjum Techniki Laserowej, 2006, 121-123.
  • [7] R. J. Xie, N. Hirosaki, Silicon-based oxynitride and nitride phosphors for white LEDs A review, Science and Technology of Advanced Materials 8, 2007, 588-600.
  • [8] R. J. Lakowicz, Principles of Fluorescence Spectroscopy, Wyd. Springer, 2006, 5.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0030-0002
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.