Detektory podczerwieni z supersieci II rodzaju układu InAs/GaInSb

• Autorzy: Gawron W. , Rogalski A.

Warianty tytułu

EN

Type-II InAs/GaInSb superlattices for infrared photodetectors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia stan rozwoju nowej generacji detektorów podczerwieni fotodiod z supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. O ich fundamentalnych właściwościach decydują kwantowe efekty rozmiarowe. Ta nowa tematyka badawcza została podjęta w VIGO System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ-MNiSW 02/I/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości fotodiod detektorów podczerwieni na bazie supersieci. Podstawę do konstrukcji fotodiod będą stanowić struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/I/2007 realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.

EN

This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This new scientific program has been undertaken in VIGO System S.A. owing to realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education.

Słowa kluczowe

PL

detektory podczerwieni; kwantowe efekty rozmiarowe; supersieci II rodzaju z InAs/GaInSb

EN

infrared detectors; low dimensional solids; type II InAs/GaInSb superlattices

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 58, nr 4
• Strony: 7--16
• Opis fizyczny: Bibliogr. 23 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Gawron W.

autor

Rogalski A.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, 00-908 Warszawa, ul. S. Kaliskiego 2

Bibliografia

• [1] J. Piotrowski, A. Rogalski, Półprzewodnikowe detektory promieniowania podczerwonego, WNT, Warszawa, 1984.
• [2] J. Piotrowski, W. Galus, M. Grudzień, Near room temperature IR photodetectors, Infrared Phys., 31, 1991, 1-48.
• [3] J. Piotrowski, Hg1-xCdxTe infrared photodetectors, in Infrared Photon Detectors, ed. By A. Rogalski, SPIE Press, Bellingham, 1995, 391-494.
• [4] A. Rogalski, K. Adamiec, J. Rutkowski, Narrow Gap Semiconductor Photodiodes, SPIE Press, Bellingham, 2000.
• [5] J. Piotrowski, A. Rogalski, High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors, SPIE Press, Bellingham, 2007.
• [6] D. L. Smith, C. Mailhiot, Proposal for strained type II superlattice infrared detectors, J. Appl. Phys., 62, 1987, 2545.
• [7] G. J. Brown, F. Szmulowicz, K. Mahalingam, S. Houston, Y. Wei, A. Gon, M. Razeghi, Recent advances in InAs/GaSb superlattices for very long wavelength infrared detection, Proc. SPIE, 4999, 2003, 457-466.
• [8] A. Rogalski, New material systems for third generation infrared photodetectors, Opto-Electron. Rev., 16, 2008, 458-482.
• [9] J. Bajaj, G. Sullivan, D. Lee, E. Aifer, M. Razeghi, Comparison of type II superlattice and HgCdTe infrared detector technologies, Proc. SPIE 6542, 65420B, 2007.
• [10] J. L. Johnson, L. A. Samoska, A. C. Gossard, J. L. Merz, M. D. Jack, G. H. Chapman, B. A. Baumgratz, K. Kosai, S. M. Johnson, Electrical and optical properties of infrared photodiodes using the InAs/Ga1-xInxSb superlattice in heterojunctions with GaSb, J. Appl. Phys., 80, 1996, 1116-1127.
• [11] W. Cabanski, K. Eberhardt, W. Rode, J. Wendler, J. Ziegler, J. Fleissner, F. Fuchs, R. Rehm, J. Schmitz, H. Schneider, M. Walther, 3rd gen focal plane array IR detection modules and applications, Proc. SPIE, 5406, 2005, 184-192.
• [12] R. Rehm, M. Walther, J. Schmitz, J. Fleissner, F. Fuchs, W. Cabanski, J. Ziegler, InAs/(GaIn)Sb short period superlattices for focal plane arrays, Proc. SPIE, 5783, 2005, 123-130.
• [13] R. Rehm, M. Walther, J. Schmitz, J. Fleissner, F. Fuchs, J. Ziegler, W. Cabanski, InAs/GaSb superlattice focal plane arrays for high resolution thermal imaging, Opto-Electron. Rev., 14, 2006, 283-296.
• [14] A. Rogalski, P. Martyniuk, InAs/GaInSb superlattices as a promising material system for third generation infrared detectors, Infrared Physics & Technol., 48, 2006, 39-52.
• [15] E. H. Aifer, J. G. Tischler, J. H. Warner, I. Vurgaftman, W. W. Bewley, J. R. Meyer, C. L. Canedy, E. M. Jackson, W Structured type II superlattice long-wave infrared photodiodes with high quantum efficiency, Appl. Phys. Lett., 89, 2006, 053510.
• [16] B. M. Nguyen, D. Hoffman, P. Y. Delaunay, M. Razeghi, Dark current suppression in type II InAs/GaSb superlattice long wavelength infrared photodiodes with M-structure barrier, Appl. Phys. Lett., 91, 2007, 163511.
• [17] P. Y. Delaunay, B. M. Nguyen, D. Hoffman, M. Razeghi, High performance focal plane array based on InAs-GaSb superlattices with a 10 um cutoff wavelength, IEEE J. Quant. Electron., 44, 2008, 462-467.
• [18] C. L. Canedy, H. Aifer, I. Vurgaftman, J. G. Tischler, J. R. Meyer, J. H. Warner, E. M. Jackson, Antimonide type II W photodiodes with long wave infrared RoA comparable to HgCdTe, J. Electron. Mater., 36, 2007, 852-856.
• [19] http://www.vigo.com.pl
• [20] http://cqd.eecs.northwestern.edu/research/type2.php
• [21] A. Rogalski, Competitive technologies for third generation infrared photon detectors, Opto-Electron. Rev., 14, 2006, 87-101.
• [22] A. Rogalski, Material consideration for third generation infrared photon detectors, Infrared Phys. & Technol., 50, 2007, 240-252.
• [23] A. Rogalski, J. Antoszewski, L. Faraone, Third generation infrared photodetector arrays, J. Appl. Phys., 105, 2009.