Conductance at InAs, InGaAs and GaAs MBE Epi-layers

Wolkenberg, A.; Przesławski, T.; Kaniewski, J.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Conductance at InAs, InGaAs and GaAs MBE Epi-layers

Autorzy

Wolkenberg A. , Przesławski T. , Kaniewski J.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Przewodność epi-warstw MBE z InAs, InGaAs i GaAs

Języki publikacji

Abstrakty

This paper presents the fraction of total conductivity based on calculated conductivities of several A _III B _V MBE epi-layers. As previously described, the method allows the calculation of the carrier concentration and mobility of each component of a multi carrier system MCS. The extracted concentrations are used to characterize the particular charge transport parts in the active layer in the form of conductance G [S] values of these parts. The scattering events for the investigated samples are presented. The analysis of the experimental results for three semiconductor compositions and different concentrations demonstrates the utility of our method in comparing the conductance's of each part of the multi-layered system as a function of temperature.

Przedstawiono wartości udziałów poszczególnych części ogólnego przewodnictwa epitaksjalnych warstw A _III B _V wykonanych w technologii MBE. Korzystając z poprzednio publikowanych rozważań przeliczono koncentracje nośników i ich ruchliwości wynikające z obecności różnych ich źródeł stosując tzw. system wielonośnikowy MCS. Obliczane składowe koncentracje nośników tego systemu pozwoliły na charakteryzację udziałów poszczególnych części składających się na system wielonośnikowego transportu w warstwie aktywnej w postaci ich przewodnictwa G [S]. Opisano także jakie mechanizmy rozpraszania przyjęto do obliczeń. Analiza uzyskiwanych danych po zastosowaniu naszej metody dla trzech rodzajów półprzewodników tj. InAs, InGaAs i GaAs o różnych koncentracjach nośników demonstruje przydatność metody dla oceny udziałów przewodnictw systemu wielonośnikowego w funkcji temperatury.

Słowa kluczowe

epiternary layers In Ga As MBE mobility resistivity concentration conductance

warstwa epitaksjalna InGaAs MBE ruchliwość rezystywność koncentracja przewodność

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2009

Tom

Vol. 50, nr 2

Strony

82--94

Opis fizyczny

Bibliogr. 32 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Wolkenberg A.

autor

Przesławski T.

autor

Kaniewski J.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

[1] Wolkenberg A., Przeslawski T., Kaniewski J., Kowalczyk E., Reginski K.: J. Appl. Phys., 99 (2006) 093708.
[2] Gold M. C., Nelson D. A.: J. Vac. Sci. Technol., A4 (1986) 2040.
[3] Meyer J. R., Hoffman C. A., Bartoli F. J., Arnold D. A., Sivananthan S., Faurie J. P.: Semicon. Sci. Technol., 8 (1993) 805.
[4] Beck W. A., Anderson J. R.: J. Appl. Phys. 62 (1987) 541.
[5] Beer A. C.: Galvanomagnetic Effects in Semiconductors. Solid State Physics Suppl., 4 (1963) 18.
[6] Dziuba Z.: Acta Physica Polonica. A80 (1991) 827.
[7] Dziuba Z., Górska M.: Phys.III France. 2 (1992) 99.
[8] Antoszewski J., Seymour D. J., Faraone L., Meyer J. R., Hoffman C. A.: Journal of Electronic Materials, 24 (1995) 1255.
[9] Dziuba Z., Antoszewski J., Dell J. M., Faraone L.: J. Appl. Phys. 82 (1997) 2996.
[10] Meyer J. R., Hoffman C. A., Antoszewski J., Faraone L.: J. Appl. Phys. 81 (1997) 710.
[11] Kim J. S., Seiler D. G., Tseng W. F.: J. Appl. Phys. 73 (1993) 8324.
[12] Kiatgamolchai S., Myronov M., Mironov O. A., KantserY. G., Parker E. H. C., Whall T. E.: Physical Review, E66 (2002) 036705.
[13] Chrastina D., Hague J. P., Leadley D. R.: J. Appl. Phys. 94 (2003) 6583.
[14] Vurgaftman I., Meyer J. R., Hoffman C. A., Redfern D., Antoszewski J., Faraone L.: J. Appl. Phys. 84 (1998) 4996.
[15] Antoszewski J., Faraone L., Yurgaftman I., Meyer J. R., Hoffman C. A.: J. Electron. Mater. 33 (2004) 673.
[16] Wolkenberg A., Przesławski T.: Application of galvanomagnetic measurements in temperature range 70-300K to MBE GaAs layers characterization. SPIE 2780 (1995) 170.
[17] Wolkenberg A., Przesławski T., Kaniewski J., Bąk-Misiuk J., Regiński K.: Mater. Sci. Eng. B 77 (2000) 250.
[18] Wolkenberg A., Przeslawski T., Regiński K., Kaniewski J., Bąk-Misiuk J.: Thin Solid Films, 367 (2000) 232.
[19] Wolkenberg A., Przeslawski T., Regiński K., Kaniewski J.: Mater. Sci. Eng. B 90 (2002) 176.
[20] Wolkenberg A., Przeslawski T., Kaniewski J., Regiński K.:.J. Phys. Chem. Sol., 64 (2003) 7.
[21] Wolkenberg A., Przeslawski T., Kaniewski J., Regiński K.: Mater. Sci. Eng., 6110 (2004) 79.
[22] Wolkenberg A., Przestawski T.: Elektronika, XLVIII (6) (2007) 26.
[23] Wolkenberg A., Przestawski T.: Elektronika, XLVIII (7) (2007) 39.
[24] Grange J. D., Parker E. H. C., King R. M.: J. Phys. D: Appl. Phys., 12, 1601 (1979).
[25] Fawcett P. N.: J. Crystal Growth, 116, 81 (1992).
[26] Kalem S.: J. Appl. Phys., 66, 3097 (1989).
[27] Wang P. D., Holmes S. N., Le T., Stradling R. A., Ferguson J. T., Oliveira A. G.: Semicon. Sci. Technol., 7, 767 (1992).
[28] Yano M., Nogami M., Matsushino Y., Kumała M.: Japan J. Appl. Phys., 16, 2131 (1977).
[29] Meggitt B. T., Parker E. H. C., King R. M.: Appl. Phys. Lett, 33, 528 (1978).
[30] Przesławski T., Wolkenberg A., Regiński K., Kaniewski J., Bąk-Misiuk J.: Growth and transport properties of relaxed epilayers of InAs on GaAs 3rd International Workshop on MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH PHYSICS and TECHNOLOGY. Warsaw, Poland, May 23-28; Thin Solid Films 367, 232 (2000).
[31] Kubiak R. A. A., Parker E. H. C., Newstead S.: Appl. Phys., A 35, 61 (1984).
[32] Holmes S., Stradling R. A., Wang P. D., Droopad R., Parker S. D., Williams R. L.: Semicon. Sci. Technol., 4, 303 (1989).

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0026-0017