Wpływ warunków wytwarzania na właściwości emisyjne warstw diamentopodobnych

• Autorzy: Staryga E. , Znamirowski Z. , Piszczek P. , Cłapa M. , Batory D.

Warianty tytułu

EN

Influence of the deposition condition on diamond-like carbon films emission properties

• Konferencja: Kongres Polskiego Towarzystwa Próżniowego ; Krajowa Konferencja Techniki Próżni (4 ; 8 ; 21-24.09.2008 ; Janów Lubelski, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zbadano emisję elektronów z heterostruktur warstwa diamentowa/krzem i warstwa diamentowa domieszkowana azotem/krzem. Analiza natężenia prądu emisji w zależności od natężenia pola elektrycznego umożliwiła wyznaczenie parametrów emisyjnych (efektywna praca wyjścia, natężenie pola włączeniowego) wytworzonych heterostruktur. Badane układy odznaczały się stabilną pracą podczas pomiaru emisji polowej. Zaobserwowano znaczny wzrost prądu emisji w układach z domieszkowaną azotem warstwą diamentową w stosunku do prądu emisji z układów z niedomieszkowaną warstwą. Wyniki badań pokazują, iż wytworzone warstwy diamentowe, przy doborze odpowiednich parametrów procesu HF CVD, zastosowaniu domieszkowania azotem oraz wyborze odpowiedniego podłoża półprzewodnikowego, mogą stanowić dobry materiał na pokrycie emiterów polowych.

EN

The emission current from diamond/silicon and nitrogen doped diamond/silicon heterostructures has been investigated. The analysis of the emission current vs. electric field characteristics have enabled to determine the basic emission parameters (such as effective work function, turn-on field). The studied heterostructures was stable during the measurements. The nitrogen doping tumed out to enhance the electron emission from the heterostructures significantly. The results presented prove that it is possible to obtain good electron emitters using silicon covered with polycrystalline diamond films provided that the properly chosen parameters of HF CVD preparation, including nitrogen doping, are used.

Słowa kluczowe

PL

emisja elektronów; warstwy diamentowe; warstwy diamentowe domieszkowane azotem

EN

electron emission; diamond films; nitrogen doped diamond films

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 1
• Strony: 54--56
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., wykr.

Twórcy

autor

Staryga E.

autor

Znamirowski Z.

autor

Piszczek P.

autor

Cłapa M.

autor

Batory D.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, Łódź

Bibliografia

• [1] Rutter M. J., Robertson J.: Ab initio calculation of electron affinity of diamond surfaces. Phys. Rev. B., 57, 1998, 9241-9245.
• [2] Litovchenko V. G., Evtukh A. A., Litvin Yu. M., Fedorchenko M. I.: The model of photo- and field electron emission from thin DLC films. Materials Science and Engineering: A, 353, 2003,47-51.
• [3] Forbes R.: Low-macroscopic-field emission from carbon films and other electrically nanostructured heterogeneous materials: hypotheses about emission mechanism. Solid State Electronics, 45, 2001, 779-808.
• [4] Staryga E., Bąk G. W.: Relation between physical structure and electrical properties of diamond - like carbon thin films. Diamond and Related Materiał, 14, 2005, 23-34.
• [5] Haś Z., Mitura S., Wendler B.: RF - Plasma Deposition of Thin Diamond - like Films. In Takagi T. Proc. International Ion Engineering Congress: ISIAT & IPAT 83, Kyoto, Japan, 12-16 Sept, 1983, 1143-1145.
• [6] Staryga E., Bąk G. W., Rogowski J., Knapik M., Rylski A., Fabisiak K.: Application of Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry to study diamond - like carbon films. Diamond and Related Materials, 16, 2007, 1312.
• [7] Staryga E., Rogowski J., Knapik M., Jarzyńska D., Cłapa M., Rylski A.: Analiza składu chemicznego układu DLC/Si przy użyciu metody SIMS i spektroskopii elektronów Augera. Inżynieria Materiałowa, 5, 2006, 1240-1243.