Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V

• Autorzy: Miczuga M. , Kamiński P. , Kozłowski R. , Pawłowski M.

Warianty tytułu

EN

Effect of photon energy on image of spectral fringes obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Określono wpływ energii fotonów na jakość obrazu prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V. Badania przeprowadzono dla centrów związanych z atomami Al, dla których termiczna emisja nośników ładunku obserwowana jest w zakresie temperatur 100-250 K. Zaproponowano mechanizm wyjaśniający znacznie lepszą jakość obrazu otrzymanego dla impulsu UV o energii fotonów 3,31 eV niż dla impulsu UV o energii fotonów 3,82 eV.

EN

Effect of the photon energy on the quality of the spectral fringes image obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals have been determined. The studies were carried out for the centres related to Al atoms for which the thermal emission of charge carriers occurs in the temperatures range of 100-250 K. A mechanism explaining much better image quality when using UV pulse with the photon energy of 3.31 eV than that when using UV pulse with the photon energy of 3.82 eV has been proposed.

Słowa kluczowe

PL

PITS; centra defektowe; półizolujący SiC

EN

PITS; defect centres; SI SiC

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 58, nr 1
• Strony: 351--360
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Miczuga M.

autor

Kamiński P.

autor

Kozłowski R.

autor

Pawłowski M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Optoelektroniki, 00-908 Warszawa, ul. S. Kaliskiego 2

Bibliografia

• [1] M. Pawłowski, P. Kamiński, R. Kozłowski, S. Jankowski, M. Wierzbowski, Intelligent measuring system for characterization of defect centres in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy, Metrology and Measurement Systems, vol. 11, no. 2, 2005, 207-228.
• [2] M. Pawłowski, Dwuwymiarowość widm w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej, Materiały Elektroniczne ITME, 28, 2000, 18-30.
• [3] M. Miczuga, M. Pawłowski, P. Kamiński, R. Kozłowski, M. Pawłowski, System pomiarowy do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych o szerokiej przerwie energetycznej, Materiały Konf. Metrologia Wspomagana Komputerowo MWK'2005, Waplewo, 17-20 maj 2005, 79-86.
• [4] M. Pawłowski, M. Miczuga, P. Kamiński, R. Kozłowski, Analysis of two-dimensional PITS spectra for characterization of defect centers in high resistivity materials, International Conference on Solid State Crystals '00, 9-13 October 2000, Zakopane, Proc. SPIE, Epilayers and Heterostructures in Optoelectronics and Semiconductor Technology, vol. 4413, 2001, 208-213.
• [5] M. Pawłowski, M. Miczuga, Zastosowanie procedury korelacyjnej z wieloimpulsowymi funkcjami wagowymi do dwuwymiarowej analizy widmowej w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS, Materiały Elektroniczne, nr 3/4, t. 29, 2001, 5-19.
• [6] S. R. Smith, A. O. Evwaraye, W. C. Mitchel, M. A. Capano, Shallow Acceptors Levels in 4H and 6H-SiC, Journal of Electronic Materials, vol. 28, no. 3, 1999, 190-195.