Elektronowe zjawiska zachodzące przy powierzchni półprzewodników oraz ich interpretacja dla różnych obszarów ładunku przestrzennego

Wojas, W.; Wojas, J.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Elektronowe zjawiska zachodzące przy powierzchni półprzewodników oraz ich interpretacja dla różnych obszarów ładunku przestrzennego

Autorzy

Wojas W. , Wojas J.

Treść / Zawartość

Pełne teksty:

httpwww_wat_edu_plm000000biuletyndownload_phptable3bazaartykulowfielddodajpobierzkey1585.pdf

Pobierz

Identyfikatory

Warianty tytułu

Electronic structure of semiconductor surfaces and its interpretation in different cases

Języki publikacji

Abstrakty

W pracy dokonano omówienia istotnych dla fizyki ciała stałego wielkości i parametrów fizykalnych związanych z powierzchniami ciał stałych, a mianowicie gęstości stanów powierzchniowych, ładunku elektrycznego w warstwach przypowierzchniowych, zmian potencjałów w tych warstwach i potencjałów na powierzchni. Rozpatrzono wygięcia pasm i przebiegi barier potencjału, również w przypadkach istnienia barier Schotky’ego. Do matematycznego opisu różniących się kształtów barier zastosowano równania Poissona. Wykonano przykładowe obliczenia grubości warstwprzypowierzchniowych w metalu i półprzewodniku.

The paper reports important parameters which are related to the surface of solids, namely: densities of the occupied electron states in surface-charge regions and potentials of surface monolayers. The band-bending and shapes of potential distribution in a surface-charge region were considered including the shapes of the Schottky barrier. For mathematical presentation of different surface barriers, the Poisson’s equations are used. An individual calculation of the surface-layer width for metal and semiconductor was made.

Słowa kluczowe

fizyka ciała stałego inżynieria powierzchni fizyka półprzewodników

solid-state physics surface engineering semiconductor physics

Wydawca

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego

Czasopismo

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

Rocznik

2007

Tom

Vol. 56, nr 3

Strony

21--45

Opis fizyczny

Bibliogr. 49 poz., wykr.

Twórcy

autor

Wojas W.

autor

Wojas J.

Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego, Katedra Zastosowań Matematyki, 02-787 Warszawa, ul. Nowoursynowska 166

Bibliografia

[1] J. Chelikowski i in., Phys. Rev. B. 8, 1973, 278b.
[2] R. A. Pollak, Phys. Rev. Lett., 29, 1103, 1972.
[3] A. Many, Y. Goldstein, N. B. Grover, Semiconductor Surfaces, North-Holland Publishing Company, Amsterdam 1965, 2 nd ed., North-Holland, New York, 1971.
[4] H. Riechert i in., Surf. Sci., 162, 184, 1985.
[5] D. E. Estman, W. D. Grobman, Phys. Rev. Lett., 29, 508, 1972.
[6] W. E. Spicer, J. Appl. Phys, 31, 2077, 1960.
[7] L. K. Galbraith, T. E. Fischer, Surf. Sci. 30, 185, 1972.
[8] J. Assmann, W. Mönch, Surf. Sci., 99, 34, 1980.
[9] L. James i in., J. Appl. Phys, 42, 4976, 1971.
[10] K. Jacobi i in., Surf. Sci., 141, 109, 1984.
[11] H. R. Riechert, S. F. Alvarado, Phys. Rev. Lett., USA, 52, 2297, 1984.
[12] S. P. Svensson i in., J. Vac. Sci. Technol. B, USA, 2, 235, 1984.
[13] G. W. Gobeli, F. G. Allen, Phys. Rev., 137, A 243, 1965.
[14] J. Van Lear, J. J. Scheer, Surf. Sci., 8, 342, 1967, Solid State Commun. 3, 189, 1975.
[15] G. W. Gobeli, F. G. Allen, Phys. Rev., 137, A 245, 1969.
[16] D. Redfield, Phys. Rev., 124, 1809, 1961.
[17] N. B. Kindig, J. of Appl. Phys, 38, 3285, 1967.
[18] J. Van Laar, A. Huijser, J. Vac. Sci. Technol., vol. 13, no 4, 1976.
[19] L. Ley, M. Cardona, R. A. Pollak, Topics in Applied Physics, Photoemission in Solids, II, Photoemission in Semiconductors, 27, 11, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1979.
[20] J. Wojas, Fizyka powierzchni półprzewodników, Akademicka Oficyna Wydawnicza, Warszawa, 1995.
[21] Y. Hatanaka i in., Appl., Surf. Sci, 142, 227, 1999.
[22] P. E. Gregory, W. E. Spicer, Phys. Rev. 13, 725, 1976.
[23] R. Fowler, Phys. Rev. 38, 45, 1931.
[24] I. J. Tamm, Phys. Rev. 39, 170, 1932.
[25] W. Shockley, Elektrony i dziury w półprzewodnikach, PWN, Warszawa, 1956.
[26] J. Łagowski, H. C. Gatos, Surf. Science 38, 252, 1973; 40, 216, 1973.
[27] G. Chiarotti i in., Phys. Rev., 4, 3398, 1971.
[28] P. E. Gregory, W. E. Spicer i in., Applied Phys. Letters, 25, 511, 1974.
[29] J. Szuber, Elektron Technol., Poland, 20, 323, 1996.
[30] C. Solterbeck i in., Phys. Rev Lett., 79, 4681, 1997.
[31] B. A. Nesterenko, O. V. Snitko, Fiziczeskie svojstva (atomarno-czistoj povierchnosti poluprovodnikov), Naukova Dumka, Kijev, 1984, Nauka Publishers, Moscov, 1988.
[32] J. Wojas, Fotoelektryczne badania półprzewodników, Wydawnictwo Naukowe SEMPER, Warszawa, 1994.
[33] J. Wojas, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, 42, z. 3, 287, 1996.
[34] J. Wojas, Acta Physica Polonica, A 60, 767, 1981.
[35] J. Wojas, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, 40, z. 3, 321, 1994.
[36] B. Seroczyńska-Wojas, J. Wojas, Polish Journal of Chemistry, 64, 183, 1990.
[37] J. Wojas, B. Seroczyńska-Wojas, Annales Universitatis Mariae Curie-Sklodowska, Lublin, Polonia, XLIII/XLIV, 31, 341, 1988/89.
[38] V. Vergara, V. E. Spicer, J. Appl. Phys., USA, 80, 1809, 1996.
[39] J. Wojas, Archiwum Elektrotechniki, Tom XXXII, 375, 1983.
[40] A. P. Sobolew, N. N. Sobolewa, Żurnal Prikładnoj Spektroskopii, 54, 1016, 1991.
[41] T. E. Fischer, Surf. Sci., 26, 587, 1971; 30, 185, 1972.
[42] C. L. Balestra, J. Łagowski, H. G. Gatos, Surf. Sci., 64, 457, 1977; 69, 53, 1977.
[43] C. I. Spindt i in., Appl. Phys. Lett, 54(12), 1148, 1989.
[44] C. A. Schmuttenmaer i in., Chem. Phys., 205, 91, 1996.
[45] Xu Shihong i in., Surf. Sci. Lett., 4, 25, 1997.
[46] G. S. Dong i in., Surf. Interface Anal., 24, 653, 1996.
[47] P. Martensson, Phys. Rev. B, USA, 33, 8855, 1986.
[48] J. Skonieczny i in., Z. Phys. B. Condensed Matter, 85, 211, 1991.
[49] J. Wojas, Rozwój teorii i metod badawczych fotoemisji z metali, półprzewodników i izolatorów, Centralny Ośrodek Szkolenia i Wydawnictw SEP, Warszawa, 2005.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0016-0002